[发明专利]聚(亚芳基醚)聚合物作为栅极电介质和钝化层的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管内的栅极介质层或钝化层，其特征在于，所述层包括至少一种含有以下结构的重复单元的聚合物：

-(O-Ar₁-O-Ar₂)_m-(-O-Ar₃-O-Ar₄)_n-

其中，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄为相同的或不同的芳基基团，m为0-1，n为1-m，并将至少一个芳基基团接枝到至少一个饱和或不饱和基团上，该基团不是芳族的且适合在低于200℃的固化温度下交联而在固化过程中不产生挥发物，并且固化后不提供官能团。

2.权利要求1所述的栅极介质层或钝化层，其能够在低于约250℃的温度下被固化。

3.权利要求1所述的栅极介质层或钝化层，其能够在约180℃的温度下被固化。

4.权利要求1所述的栅极介质层或钝化层，其能被固化的方法包括将所述层暴露于辐射源中并加热到低于约180℃的温度。

5.权利要求4所述的栅极介质层或钝化层，其特征在于，所述暴露包括将所述层暴露于包括选自以下组中的至少一种的辐射源中，该组包括电子束、光子、紫外光、可见光、X射线、热和它们的组合。

6.权利要求5所述的栅极介质层或钝化层，其特征在于，所述暴露包括将所述层暴露于紫外光或可见光中。

7.一种用作薄膜晶体管用栅极介质层或钝化层的聚(亚芳基醚)聚合物，其特征在于，所述聚合物包含以下结构的聚合重复单元：

其中G₁、G₂、G₃、G₄、G₅、G₆、G₇和G₈是相同的或者不同的，可以是氢原子或含芳基基团：

8.权利要求7所述的聚合物，其特征在于，所述聚合物具有低于大约3.0的介电常数。

9.权利要求7所述的聚合物，其特征在于，所述聚合物具有大于约2.7的介电常数。

10.一种多层电子器件，包括：

至少一个包含至少一种栅极介质层的栅电极，所述介质层包含至少一种聚(亚芳基醚)聚合物；

至少一个源电极；

至少一个漏电极；

至少一个半导体层；

其特征在于，所述栅极介质层具有大于约2.7的介电常数。

11.一种薄膜晶体管，包括：

至少一个栅电极；

至少一个包含至少一种聚(亚芳基醚)聚合物的栅极介质层；

至少一个源电极；

至少一个漏电极；

至少一个半导体层；

其特征在于，所述栅极介质层具有大于约2.7的介电常数。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述聚(亚芳基醚)聚合物是接枝的。

13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述聚(亚芳基醚)聚合物接枝到至少一个不饱和基团上。

14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述聚(亚芳基醚)聚合物接枝到一个以上的不饱和基团上。

15.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述聚(亚芳基醚)聚合物用含芳基的接枝体进行接枝。

16.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述聚(亚芳基醚)聚合物不进行氟化。

17.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述聚(亚芳基醚)聚合物的重复单元具有以下的结构：

其中，G₁、G₂、G₃、G₄、G₅、G₆、G₇和G₈是同类的或不同类的至少一种不饱和基团。