[发明专利]用作H－桥电路的功率半导体模块及其制造方法

权利要求书

1.一种具有四个功率半导体芯片(N1、N2、P1、P2)和半导体控制芯片(IC)的、作为H-桥电路(42)的功率半导体模块，所述半导体芯片被设置在引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43，44，45)上，所述引线平面具有：在中央设置的引线芯片接触区(45)，在其上设置所述半导体控制芯片(IC)；以及在两个在侧向设置的引线芯片接触区(43、44)，在其每个上设置n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)作为下侧开关(58，59)和p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)作为上侧开关(48，49)，并且所述n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)共同电连接到地电势(50)，且所述p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)电连接到分开的供电电压源(VS1，VS2)。

2.根据权利要求1的功率半导体模块，特征在于所述半导体芯片(N1，N2，P1，P2，IC)的顶部(52)上的接触区(51)通过各个接合导线(53)电连接，用于在该中央半导体控制芯片(IC)和所述四个在侧向设置的功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)之间的控制信号传输。

3.根据权利要求1或权利要求2的功率半导体模块，特征在于：

在所述功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)的顶部(60)上的大面积接触区(54到57)，通过多条平行接合导线连接到所述引线平面(80)上的大面积引线接触区(45到47)中相应的一个。

4.根据权利要求1或权利要求2的功率半导体模块，特征在于：

在所述功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)的顶部(60)上的大面积接触区(54到57)，通过接合带(61到64)连接到所述引线平面(80)上的相应的大面积引线接触区(45到47)。

5.根据权利要求1或权利要求2的功率半导体模块，特征在于：

在所述功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)的顶部(60)上的大面积接触区(54到57)，通过导体夹连接到所述引线平面(80)上的相应的大面积引线接触区(45到47)。

6.根据在前的权利要求之一的功率半导体模块，特征在于：

该功率半导体模块具有设置在一平面(80)上的引线作为该功率半导体模块(41)底面上的可表面安装外部接触(71到79)，其并入边缘侧(66到68)的边缘侧接触(1-36)中。

7.根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于该功率半导体模块(41)包括：36个边缘侧接触(1到36)；第一输出端(OUT1)，其包括边缘侧接触1到4和33到36；第二输出端(OUT2)，其包括边缘侧接触15到18和19到22；第一电源接线端(VS1)，其包括边缘侧接触29到32；第二电源接线端(VS2)，其包括边缘侧接触11到14；以及接地端(50)，其包括边缘侧接触5到8和23到26，而边缘侧接触9、11、27和28是信号外部端子。

8.根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于该功率半导体(41)包括FET晶体管作为功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)。

9.根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述下侧开关(58，59)通过它们的源极接触和栅极接触分别粘性且导电地连接到相应引线芯片接触区(43和44)上的输出端(OUT1和OUT2)。

10.根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述下侧开关(58，59)通过它们的漏极接触(D1，D2)、经由连接元件(61，62)和经由所述中央引线芯片接触区(45)电连接到接地端(50)。

11.根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述上侧开关(48，49)通过它们的漏极接触分别粘性且导电地连接到相应引线芯片接触区(43和44)上的输出端(OUT1和OUT2)。

12.根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述上侧开关(48，49)通过它们的源极接触(S3，S4)、经由连接元件(63，64)，分别粘性且导电地连接到相应引线外部接触(73和75)上的电源电压端(VS1和VS2)。