[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

第一电极；

第一电阻层，其沿着所述第一电极的边缘而形成；

第二电阻层，其填充在所述第一电阻层的内部；以及

第二电极，其形成于所述第一电阻层和所述第二电阻层之上。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

所述第一电极和所述第二电极包含铂族元素。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，

所述铂族元素包括铂(Pt)、铱(Ir)、及其冶金等同物。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

所述第一电阻层包括含铌(Nb)氧化物。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，

所述含铌氧化物主要由NbO₂或Nb₂O₅构成。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

所述第二电阻层由相切换的临界驱动电压高于所述第一电阻层的相切换的临界驱动电压的材料构成。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

所述第二电阻层包括含铝(Al)氧化物。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，其中，

所述含铝氧化物主要由Al₂O₃构成。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

所述第一电阻层形成于所述第一电极的上边缘之上。

10.一种制造非易失性存储器件的方法，包括：

在半导体基板的一部分之上形成包括第一电极的第一层间绝缘膜；

在所述第一层间绝缘膜的一部分之上形成包括接触孔的第二层间绝缘膜，所述接触孔露出所述第一电极；

在所述接触孔的侧壁上形成第一电阻层；

形成填充所述第一电阻层内部的第二电阻层；

在所述第一电阻层和所述第二电阻层之上形成第二电极；以及

在所述第二电极的一部分之上形成带有接触插塞的第三层间绝缘膜，所述接触插塞与所述第一电极重叠。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第一电极和所述第二电极包含铂族元素。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述铂族元素包括铂(Pt)、铱(Ir)、及其冶金等同物。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第一电阻层包括含铌(Nb)氧化物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，

所述含铌氧化物主要由NbO₂或Nb₂O₅构成。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：

采用化学气相沉积(CVD)法形成所述第一电阻层。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第二电阻层由相切换的临界驱动电压高于所述第一电阻层的相切换的临界驱动电压的材料构成。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第二电阻层包括含铝(Al)氧化物。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，

所述含铝氧化物主要由Al₂O₃构成。

19.根据权利要求10所述的方法，还包括：

采用化学气相沉积(CVD)法形成所述第二电阻层。