[发明专利]制造快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200710129991.3 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101174594A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 玄灿顺 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 器件 方法 | ||
1.一种制造快闪存储器件的方法，包括步骤：
在限定有单元区域和周边区域的半导体衬底上顺序地形成栅极绝缘膜、第一导电膜和氮化物膜；
蚀刻所述氮化物膜、所述第一导电膜、所述栅极绝缘膜和部分所述半导体衬底以形成沟槽；
在所述沟槽中形成隔离膜；
第一蚀刻所述单元区域和所述周边区域的隔离膜；
去除所述氮化物膜；
第二蚀刻仅仅所述单元区域的隔离膜；
在包括所述隔离膜的整个表面上形成介电膜和第二导电膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中实施所述第一蚀刻过程直至从所述周边区域的有源区顶部至所述隔离膜顶部的高度为约200～约400埃。
3.根据权利要求1所述的方法，其中通过利用干法蚀刻过程或湿法蚀刻过程实施所述第一蚀刻过程。
4.根据权利要求3所述的方法，其中通过利用氩(Ar)气体实施所述干法蚀刻过程。
5.根据权利要求4所述的方法，其中以100sccm或更小的流量注入所述氩气体。
6.根据权利要求3所述的方法，其中通过施加约100～约500W的偏压功率实施所述干法蚀刻过程。
7.根据权利要求3所述的方法，其中通过施加约100～约600W的源功率实施所述干法蚀刻过程。
8.根据权利要求3所述的方法，其中通过利用HF或BOE实施所述湿法蚀刻过程。
9.根据权利要求1所述的方法，其中通过利用H3PO4实施湿法蚀刻过程来去除所述氮化物膜。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括在第二蚀刻仅仅所述单元区域的隔离膜之后，第三蚀刻所述单元区域和所述周边区域的隔离膜，其中实施所述第三蚀刻过程，使得基于有源区顶部的所述周边区域的隔离膜的高度为约100～约150埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
