[发明专利]在闪速存储器件中对数据进行编程的方法

权利要求书

1.一种在包括多个多级单元的闪速存储器件中对数据进行编程的方法，所述多级单元包括第一单元和第二单元，所述方法包括：使用第一编程电压对所述第一单元和所述第二单元执行第一编程操作，当对所述第一单元执行所述第一编程操作时，所述第一单元处于第一状态；

在已经执行所述第一编程操作之后，确定所述第一单元是否被编程到第二状态；

如果确定所述第一单元处于所述第二状态，则将当前编程电压和用于第二编程操作的起始电压进行比较；

基于所述比较的结果，限定用于所述第二编程操作的第二编程电压；以及

使用已经根据所述比较的结果而限定的所述第二编程电压，来对所述第二单元执行所述第二编程操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，限定所述第二编程电压涉及在当前电压小于用于所述第二编程操作的起始电压的情况下，将所述起始电压设置为增加第二编程电压的初始电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述第一编程操作之前已经对所述第一单元进行编程，以将所述第一单元置于所述第一状态。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

对所述第一单元进行最低有效位(LSB)编程，以将所述第一单元编程到所述第一状态，其中，所述LSB编程在所述第一编程操作之前执行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一和第二编程电压根据增量步长脉冲编程(ISPP)方法而增加。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，如果在执行预限定数目的编程操作之后，确定所述第二单元不处于所述第三状态，则认为已经发生编程失败。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一、第二和第三状态分别与第一、第二和第三验证电压相关联。

8.一种在包括具有特定电平的多级单元的闪速存储器件中对数据进行编程的方法，包括：

从预置的第一起始电压开始，关于具有第一电平的单元而执行编程操作；

使用第一验证电压来辨别关于具有所述第一电平的所述单元的编程验证是否通过，在所述编程验证未通过的情况下，逐步将编程电压增加一给定电压，并且接着再次执行所述编程操作；

在所述编程验证通过的情况下，将当前编程电压与关于具有第二电平的单元而设置的第二起始电压进行比较，并且根据所述比较结果，从当前编程电压或者所述第二起始电压开始，执行所述编程操作；以及

使用第二验证电压来辨别关于具有所述第二电平的所述单元的编程验证是否通过，如果关于具有所述第二电平的所述单元的编程验证未通过，则逐步将所述编程电压增加一给定电压，并且接着再次执行所述编程操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述编程电压根据增量步长脉冲编程(ISPP)方法增加一给定电压。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

如果关于具有所述第一电平的所述单元的编程验证通过，则将当前编程电压与所述第二起始电压进行比较；

如果当前编程电压小于所述第二起始电压，则将所述编程电压改变成所述第二起始电压，从所述第二起始电压逐步增加所述编程电压，并且接着再次执行所述编程操作。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

如果所述当前编程电压与所述第二起始电压相同或者高于所述第二起始电压，则逐步增加所述编程电压而不改变当前编程电压，并且接着执行所述编程操作。

12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

对所述编程操作的数目进行计数。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，如果所述编程操作的数目大于预定的最大值，则确定在对应的单元中发生失败。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述第一起始电压设置在第一验证电平附近，该第一验证电平与关于具有所述第一电平的所述单元的编程验证有关。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述第二起始电压设置在第二验证电平附近，该第二验证电平与关于具有所述第二电平的所述单元的编程验证有关。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，具有所述第一电平的所述单元对应于与具有所述第二电平的所述单元相比较低的电压电平。