[发明专利]等离子体显示面板有效
申请号: | 200710130374.5 | 申请日: | 2007-07-18 |
公开(公告)号: | CN101110332A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 四户耕治;秋山利幸;山田高士;野口康幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社下一代PDP研发中心;富士通株式会社;日本先锋公司;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01J17/49 | 分类号: | H01J17/49;H01J17/04;H01J17/02;H01J11/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示 面板 | ||
1.一种等离子体显示面板,包括:彼此面对的一对基板,其间具有至少一个放电空间;在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极对,其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的;形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层;以及在列方向上延伸并且在行方向上被形成在所述基板对中的另一基板上的多个列电极,单元发射区域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中,并且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中,其中
所述行电极对中的至少一个电极在列方向上的宽度被设置为150μm或更小,
所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大,并且
所述行电极对中扫描脉冲被应用到的那个行电极的宽度比所述对中另一行电极的宽度要大。
2.如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中所述行电极对中的每个行电极包括:透明电极和金属总线电极,所述透明电极在列方向上具有预定宽度并且经由放电间隙而面对另一行电极,所述金属总线电极在列方向上具有比所述透明电极更小的宽度并且与所述透明电极电连接。
3.如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中在所述基板对之间基本以格子形状形成有阻挡层,所述格子形状的阻挡层是通过所述阻挡层中在行方向上平行延伸的多个行阻挡层和所述阻挡层中在列方向上平行延伸的多个列阻挡层形成的,并且放电空间通过所述阻挡层被划分成单独的单元发射区域,并且所述行电极被布置在面对分别通过所述阻挡层的划分而获得的所述单元发射区域的位置上。
4.一种等离子体显示面板,包括:彼此面对的一对基板,其间具有至少一个放电空间;在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极对,其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的;形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层;以及在列方向上延伸并且在行方向上被形成在另一基板上的多个列电极,单元发射区域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中,并且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中,其中
所述介电层包括薄膜部分和厚膜部分,并且
所述介电层的所述薄膜部分被形成在所述行电极对中的至少一个行电极上并且是在列方向上的宽度为150μm或更小的区域,并且在所述行电极对中的另一行电极上形成有这样的薄膜,其在列方向上的宽度比在列方向上的宽度被设置为150μm或更小的所述薄膜的宽度要大,并且
所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大。
5.如权利要求4所述的等离子体显示面板,其中所述介电层的所述厚膜部分的厚度被设置为所述介电层的所述薄膜部分的厚度的两倍或更大。
6.如权利要求4所述的等离子体显示面板,其中所述介电层的所述薄膜部分以在行方向上延伸的带状形成。
7.如权利要求5所述的等离子体显示面板,其中所述介电层的所述薄膜部分以在行方向上延伸的带状形成。
8.如权利要求4所述的等离子体显示面板,其中所述介电层的所述薄膜部分针对每个单元发射区域以岛状形成,并且所述厚膜部分基本以格子形状形成。
9.如权利要求5所述的等离子体显示面板,其中所述介电层的所述薄膜部分针对每个单元发射区域以岛状形成,并且所述厚膜部分基本以格子形状形成。
10.如权利要求4所述的等离子体显示面板,其中阻挡层通过所述阻挡层的在行方向上延伸的多个第一壁部分和所述阻挡层的在列方向上延伸的多个第二壁部分基本以格子形状被形成在所述基板对之间,并且放电空间通过所述阻挡层被划分成单独的单元发射区域,并且所述行电极被布置在面对分别通过所述阻挡层的划分而获得的所述单元发射区域的位置上。
11.如权利要求5所述的等离子体显示面板,其中阻挡层通过所述阻挡层的在行方向上延伸的多个第一壁部分和所述阻挡层的在列方向上延伸的多个第二壁部分基本以格子形状被形成在所述基板对之间,并且放电空间通过所述阻挡层被划分成单独的单元发射区域,并且所述行电极被布置在面对分别通过所述阻挡层的划分而获得的所述单元发射区域的位置上。
12.一种等离子体显示面板,包括:彼此面对的一对基板,其间具有至少一个放电空间;在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极对,其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的;形成在一个基板一侧并且覆盖所述行电极对的介电层;以及在列方向上延伸并且在行方向上被形成在另一基板一侧的多个列电极,单元发射区域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中,并且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中,其中
在覆盖所述行电极对中的至少一个行电极的介电层上利用高γ材料形成有二次电子发射层,其在列方向上的宽度为150μm或更小,并且在覆盖所述行电极对中的另一行电极的介电层上利用高γ材料形成有另一二次电子发射层,其在列方向上的宽度比被设置为150μm或更小的所述高γ材料在列方向上的宽度要大,并且
所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社下一代PDP研发中心;富士通株式会社;日本先锋公司;松下电器产业株式会社,未经株式会社下一代PDP研发中心;富士通株式会社;日本先锋公司;松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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