[发明专利]包含纳米复合材料绝缘体的相变存储单元

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

第一电极；

第二电极；

存储材料，位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及

纳米复合材料绝缘体，接触所述存储材料。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述存储材料是相变存储材料。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述纳米复合材料绝缘体包括簇尺寸界定在约1至5nm之间的纳米复合材料簇。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述纳米复合材料绝缘体被沉积为厚度在约5至30nm之间的层。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述存储单元包括通孔单元。

6.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述存储单元包括柱状单元。

7.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述存储单元包括线状器件。

8.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述存储单元包括加热器单元。

9.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述纳米复合材料绝缘体包括第一材料和分布在所述第一材料的一部分内的纳米级材料。

10.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述第一材料包括相变材料，以及所述纳米级材料包括绝缘纳米微粒。

11.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述第一材料包括多孔绝缘体宿主，以及所述纳米级材料包括渗透到所述多孔绝缘体宿主中的相变材料的纳米微粒。

12.根据权利要求11所述的存储单元，其中，所述多孔绝缘体宿主是包括孔尺寸界定在约1至5nm之间的孔的纳米多孔绝缘体。

13.根据权利要求11所述的存储单元，其中，所述存储材料包括相变材料，以及所述多孔绝缘体渗透有相同相变材料的纳米微粒。

14.根据权利要求11所述的存储单元，其中，所述存储材料包括相变材料，以及所述多孔绝缘体渗透有不同相变材料的纳米微粒。

15.一种存储单元，包括：

第一电极；

第二电极；

存储元件，包括从与所述第一电极的第一触点延伸到与所述第二电极的第二触点的存储材料；以及

纳米多孔绝缘体，接触所述存储元件，其中，所述纳米多孔绝缘体的至少一部分是通过使所述存储材料扩散到多孔材料中的扩散而形成的。

16.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述存储材料是相变材料。

17.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述纳米复合材料绝缘体包括簇尺寸界定在约1至5nm之间的纳米复合材料簇。

18.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述纳米复合材料绝缘体被沉积为厚度在约5至30nm之间的层。

19.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述存储单元包括通孔单元。

20.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述存储单元包括柱状单元。

21.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述存储单元包括线状器件。

22.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述存储单元包括加热器单元。

23.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述纳米多孔绝缘体沿着绝缘体界面接触所述存储元件，并且所述纳米多孔绝缘体中接近所述绝缘体界面的一部分渗透有相变材料。

24.根据权利要求23所述的存储单元，还包括：

介电层，用于密封所述纳米多孔绝缘体，其中，所述介电层最小化所述相变材料从所述绝缘体界面通过所述纳米多孔绝缘体的扩散。

25.根据权利要求15所述的存储单元，其中，所述纳米多孔绝缘体的厚度在约10至50nm之间，以及所述纳米多孔绝缘体的孔尺寸在约1至5nm之间。