[发明专利]增进散热效益的卷带式半导体封装构造

说明书

技术领域

本发明涉及一种卷带式半导体封装构造，特别是涉及一种能增加晶片的导热面积并且保持卷带式产品的可挠曲性，增进散热效益，可有效降低晶片工作时所产生的热能，增加工作寿命的卷带式半导体封装构造。

背景技术

现有技术中，卷带式半导体封装构造，例如薄膜覆晶封装构造(COFpackage，Chip-On-Film package)与卷带承载封装构造(TCP，Tape CarrierPackage)，具有可挠曲性与薄化的优点，目前可以运用于显示器驱动IC的封装。然而随着集成电路制程的演进，基板的端子间隙越来越小，晶片尺寸亦越来越小。故晶片在工作时，热能集中在该越小的空间内，导致晶片的温度越来越高。这种容易积热的现象会导致晶片无法正常运作，亦会引起金属迁移(migration)而导致存在耐用度不佳的问题。

请参阅图1所示，是现有习知卷带式半导体封装构造的截面示意图。现有习知的卷带式半导体封装构造100，主要是以一可挠性基板110作为晶片载体，该可挠性基板110具有一上表面111与一下表面112，并具有复数个引脚113。一晶片120是设置于该可挠性基板110的上表面111，并以其凸块121电性连接至该些引脚113。另外，以点涂形成的一封装胶体130形成于该晶片120与该可挠性基板110之间，但显露该晶片120的背面122以及该可挠性基板110的挠曲部位。随着该晶片120的尺寸越来越小与集成电路的密集化，晶片的集热问题则更显重要。现有习知的卷带式半导体封装构造100在接合与运作时，发现该晶片120高达摄氏一百多度，会存在有热当或产品损毁之虞。

由此可见，上述现有的卷带式半导体封装构造在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的卷带式半导体封装构造存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，能够改进一般现有的卷带式半导体封装构造，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的卷带式半导体封装构造存在的缺陷，而提供一种新型的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，所要解决的技术问题是使其藉由可挠性散热树脂热耦合至晶片的配置方式，能够增加晶片的导热面积并且保持卷带式产品的可挠曲性，可以有效降低晶片工作时所产生的热能，以增加其工作寿命，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其包含：一可挠性基板，其具有一上表面与一下表面，该上表面界定有一晶片设置区，该可挠性基板具有复数个引脚；一晶片，其设置于该可挠性基板的该晶片设置区内并电性连接至该些引脚，该晶片具有一主动面、一背面以及复数个侧面，其中该主动面是朝向该可挠性基板；以及一第一可挠性散热树脂，其形成于该可挠性基板的该上表面，并至少热耦合至该晶片的该些侧面；以及一第二可挠性散热树脂，其系图案化形成于该可挠性基板的该上表面在该晶片设置区外的区域。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其中所述的第一可挠性散热树脂的厚度是不低于该晶片的该背面。

前述的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其中所述的第一可挠性散热树脂是更热耦合至该晶片的该背面。

前述增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其另包含一封装胶体，其形成于该晶片与该可挠性基板之间。

前述的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其中所述的第一可挠性散热树脂的导热系数与可挠性皆高于该封装胶体。

前述的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其中所述的第一可挠性散热树脂是包覆该封装胶体。

前述的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其中所述的第一可挠性散热树脂是具有大于1.0W/mk的导热系数。

前述的增进散热效益的卷带式半导体封装构造，其中所述的第一可挠性散热树脂是具有介于30至300Mpa的折曲强度。