[发明专利]绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法无效
申请号: | 200710131371.3 | 申请日: | 2007-08-28 |
公开(公告)号: | CN101378627A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 郭雪梅;吴政道;胡振宇 | 申请(专利权)人: | 汉达精密电子(昆山)有限公司 |
主分类号: | H05K3/16 | 分类号: | H05K3/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 21530*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 导热 金属 基板上 真空 形成 导电 线路 方法 | ||
1、一种绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:包括下列步骤:
(1)提供一绝缘导热金属基板;
(2)将该基板置入一真空腔,利用等离子轰击导电层靶材,并使该靶材表面组分以原子形式被溅射出来,沉积在基板表面形成导电层;
(3)以抗蚀刻油墨转移设计的电路图,蚀刻脱去上述电路图以外部分的导电层。
2、如权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:步骤(2)中真空腔的真空度至少为10-5torr,通入氩气维持在1~3x10-3torr,且以该绝缘导热金属基板为阳极,导电层靶材为阴极,基板负偏压-300~-600V,阳极电流密度0.1~1W/cm2,且导电层厚度0.5~5μm。
3、如权利要求1或2所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:步骤(2)还包括以下步骤:
将该绝缘基板置入第二真空腔,利用等离子轰击防护层靶材,并使该靶材表面组分以原子形式被溅射出来,沉积在基板表面形成防护层,且防护层厚度0.1~0.3μm。
4、如权利要求3所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:该第二真空腔通入氩气维持在1~3x10-3torr,且以该绝缘导热金属基板为阳极,防护层靶材为阴极,阳极电流密度在0.1~1W/cm2。
5、如权利要求4所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:该导电层靶材为铜,该防护层靶材为不锈钢。
6、如权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:步骤(3)中蚀刻可以采用湿蚀刻或干蚀刻。
7、如权利要求6所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:湿蚀刻配方为三氯化铁400~600g/L、盐酸2~5g/L、氟化氢铵1~2g/L、硫尿0.5%(质量比)。
8、如权利要求7所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:还可包含蚀刻促进剂和再生剂2~5g/L。
9、如权利要求8所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:该蚀刻促进剂和再生剂为双氧水。
10、如权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法,其特征在于:步骤(3)中转移设计的电路图至少包括印刷抗蚀刻性的热固型油墨或曝光抗蚀刻性的紫外线固化型油墨显影两种方式。
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