[发明专利]后修饰的聚乙烯基咔唑材料及制备方法和应用

权利要求书

1.一种后修饰的聚乙烯基咔唑材料，其特征在于该材料以非平面的芳基芴作为后修饰基团，具有为如下结构：

式中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基或烷氧基链；n代表所得聚合物链中乙烯基咔唑的含量，为1-1000之间的实数；x、y分别为1～100的实数；W为碳或氮；Ar为共轭结构单元；

Ar具体为如下列结构中的一种：

2.根据权利要求1所述的后修饰的聚乙烯基咔唑材料，其特征在于所述的R出现时相同或者不同，并选自氢或正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基或正葵基或正辛氧基链中的任意一种；

3.根据权利要求1所述的后修饰的聚乙烯基咔唑材料，其特征在于所述的化合物材料I中W为碳，具有如下结构：

4.一种如权利要求1所述的后修饰的聚乙烯基咔唑材料的制备方法，其特征在于通过以三氟化硼乙醚络合物催化的付-克反应制备，以9-苯基-芴-9-醇修饰聚乙烯基咔唑为例，反应具体如下：

其反应条件具体是聚乙烯基咔唑和叔醇按摩尔比例混合溶解于二氯甲烷中，在室温下，加入等比例的三氟化硼乙醚络合物催化剂，反应时间在30分钟～48小时之间。

5.一种如权利要求1所述的后修饰的聚乙烯基咔唑材料的应用，其特征在于应用于信息存储器件，其中器件的结构为透明阳极/电双稳态层/阴极，其中后修饰的聚乙烯基咔唑材料作为电双稳态层通过溶液旋涂或喷墨打印方式制备、阴极通过真空镀膜技术制备。

6.一种如权利要求1所述的后修饰的聚乙烯基咔唑材料的应用，其特征在于应用于发光二极管器件，其中发光二极管器件的结构为透明阳极/发光层/电子注入层/阴极，其中，发光层由主体材料与掺杂客体组成，后修饰的聚乙烯基咔唑材料作为主体材料。