[发明专利]溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置及其工作方法无效

专利信息
申请号: 200710131996.X 申请日: 2007-09-14
公开(公告)号: CN101386975A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 陶汝华;董伟伟;邓赞红;李达;方晓东 申请(专利权)人: 中国科学院安徽光学精密机械研究所
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 溅射 沉积 分离 真空 薄膜 装置 及其 工作 方法
【权利要求书】:

1、一种溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,包括由带通孔(5)的隔离板(6)分离的溅射腔(18)和沉积腔(19),以及分置其内的靶材(3)和基板(9),所说通孔(5)位于所说靶材(3)和基板(9)间的沉积通道上,所说靶材(3)位于溅射源(2)的溅射通道上,所说溅射腔(18)和沉积腔(19)分别连接有真空系统,其特征在于所说隔离板(6)为球状或锥状,所说球状或锥状隔离板(6)的凸出部伸入溅射腔(18)内。

2、根据权利要求1所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是所说球状隔离板(6)的球半径为沉积腔(19)内径的1~1.4倍,其形状为半球形或球冠形。

3、根据权利要求1所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是所说锥状隔离板(6)的锥角为60~120度,其形状为圆锥形或棱锥形。

4、根据权利要求2或3所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是通孔(5)位于球状或锥状隔离板(6)的球状或锥状的顶部,其直径为0.1~1mm。

5、根据权利要求1所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是溅射源(2)为高能电子束源或脉冲激光光源或离子束源,其中,高能电子束源位于溅射腔(18)内,脉冲激光光源或离子束源位于溅射腔(18)外。

6、根据权利要求1所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是真空系统由依次串接的蝶阀(14a,14b)、分子泵(15a,15b)与机械泵(16a,16b)构成。

7、根据权利要求1所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是溅射腔(18)置有窗口(1)、溅射腔门(11a)、溅射腔法兰(8a)和与靶材(3)同轴连接的电机(7a),所说电机(7a)的转轴与溅射腔(18)间动配合密封连接。

8、根据权利要求1所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是沉积腔(19)置有加热系统(13)、沉积腔法兰(8b)、沉积腔门(11b)和与基板托(10)同轴连接的电机(7b),所说电机(7b)与沉积腔(19)间动配合密封连接。

9、根据权利要求8所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置,其特征是加热系统(13)和电机(7b)经波纹管(12)与沉积腔(19)连接,所说波纹管(12)的两端并联连接有调节螺杆(17)。

10、根据权利要求1所述的溅射、沉积分离腔式真空薄膜沉积装置的工作方法,包括对溅射、沉积腔真空的抽取、靶材和基板的加热,以及工作气体的配给、溅射源的轰击,其特征在于所说方法包含以下步骤:

(a)根据成膜的种类,分别确定溅射腔和沉积腔的真空度;

(b)依照成膜的要求,分别确定溅射腔和沉积腔内所需的环境气氛;

(c)启动选定的溅射源,进行溅射成膜。

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