[发明专利]一种在MgO或Si衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法无效
| 申请号： | 200710132283.5 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101158026A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 康琳;昌路;李阳斌;吴培亨 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mgo si 衬底 超薄 nbn 超导 薄膜 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在MgO或Si衬底上生长超薄的NbN超导薄膜的方法，其特征是该方法包括以下步骤：
(a)MgO或Si或SiOx/Si单晶基片的清洗：将基片放入丙酮和酒精溶液中超声清洗，然后用去离子水冲洗，氮气吹干，备用；其中x为1或2；
(b)将基片放入磁控溅射系统中的样品座上，样品座采用冷却循环水进行冷却，水温度低于摄氏20度；
(c)由分子泵和机械泵组成的真空系统进行抽真空，当真空室背景真空小于5×10-4Pa后，利用离子束清洗技术清洗基片；
(d)清洗结束，系统继续抽真空至背景真空小于3×10-5Pa；
(e)溅射生长NbN薄膜。
2.根据权利要求1所述的在MgO或Si衬底上生长超薄的NbN超导薄膜的方法，其特征是步骤(c)中，离子清洗条件为；电压300eV，束流30mA，加速电压220V，清洗时间3分钟。
3.根据权利要求1所述的在MgO或Si衬底上生长超薄的NbN超导薄膜的方法，其特征是步骤(e)中，生长气体为Ar:N2的混合气体，质量比例为4-6∶1，工作气压0.27～0.7Pa。
4.根据权利要求1所述的在MgO或Si衬底上生长超薄的NbN超导薄膜的方法，其特征是步骤(e)中，采用直流溅射，功率密度为4.5W/cm2，沉积速率为700mm/min。
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