[发明专利]表面等离激元辅助的波长可调的光发射器件

权利要求书

1.表面等离激元辅助的波长可调的光发射器件，其特征是在光发射器件的金属膜层表面镀介电覆层，通过改变介电覆层的厚度，来调节表面等离激元共振频率，实现对发射波长的连续可调。

2.根据权利要求1所述方法的表面等离激元辅助的波长可调的光发射器件结构，其特征是该结构是在内含发光材料层(4)的基底层(1)上覆有金属膜层(2)，在金属膜层(2)上还覆有厚度可调的介电覆层(3)。

3.根据权利要求2所述表面等离激元辅助的波长可调的光发射器件，其特征是可激发的发光材料层(4)是半导体异质结结构、半导体量子阱结构或有机发光材料等。

4.根据权利要求1或2所述表面等离激元辅助的波长可调的光发射器件，其特征是所述金属膜(2)为金、银或铝等。

5.根据权利要求1或2所述发表面等离激元辅助的波长可调的光发射器件，其特征是介电覆层(3)的介电函数ε₃大于内含发光材料层的基底层(1)的介电函数ε₁，即ε₃＞ε₁。

6.根据权利要求1或2所述表面等离激元辅助的波长可调的光发射器件，在满足要求5的情况下，假设金属膜层(2)的介电函数为${\mathrm{\ϵ}}_2={\mathrm{\ϵ}}_{\∞}(1-\frac{{\mathrm{\ω}}_p^2}{{\mathrm{\ω}}^2}),$其特征是发射波长λ＝2πc/ω的可调节的范围为${\mathrm{\ω}}_p\sqrt{\frac{{\mathrm{\ϵ}}_{\∞}}{{\mathrm{\ϵ}}_{\∞}+{\mathrm{\ϵ}}_3}}\≤\mathrm{\ω}\≤{\mathrm{\ω}}_p\sqrt{\frac{{\mathrm{\ϵ}}_{\∞}}{{\mathrm{\ϵ}}_{\∞}+{\mathrm{\ϵ}}_1}}.$