[发明专利]半导体工业废水的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及水处理方法，尤其是涉及半导体工业废水的处理方法，更确切的说，涉及在半导体器件生产过程中产生的硅圆片切割及研磨的废水及零部件电镀废水的处理方法。

背景技术

半导体工业是一个十分依赖水资源的行业，也是高耗水的行业，尤其在水资源有限的情形下，限水、缺水对半导体生产企业的营运产生巨大压力。因此，对半导体生产企业节约用水的研究与实践，有助于提升用水效益，降低用水成本。目前，节约用水、中水回用、废水的回收利用已成为半导体业者应对缺水危机的重要措施，特别是废水的回收利用，既能减少对水资源的需求，又能降低生产成本，同时也减少对环境的污染。

半导体工业废水主要包括两部分：硅圆片切割及研磨的废水及半导体器件封装外壳的电镀废水。其中半导体器件封装外壳的电镀废水主要是指半导体集成电路器件封装外壳的电镀废水以及半导体分立器件封装外壳的电镀废水，即在所述封装外壳的金属零部件上分层电镀起导电及防腐作用的金属层时产生的废水，其中的污染物主要是酸和碱及锡、铅、铜、镍等金属离子，以及有机物和有机络合物等；其中的硅圆片切割及研磨的废水产生于硅圆片的切割研磨工序中，其中含有大量的亚微米级硅颗粒、数十纳米以下的金刚砂磨料颗粒及清洗剂。上述废水水质详见表1：

表1.废水水质

指标项目电镀废水项目研磨废水pH值≤3pH值7～8SS(mg/L)≤250SS(mg/L)150～2000Pb²⁺(mg/L)≤15COD_Cr(mg/L)10～1500Sn²⁺(mg/L)≤14浊度(NTU)50～80Cu²⁺(mg/L)≤10悬浮颗粒粒径(μm)＜1Ni²⁺(mg/L)≤15COD_Cr(mg/L)≤150