[发明专利]微波低波段超微型混合集成电路及其制备工艺无效
申请号: | 200710135218.8 | 申请日: | 2007-11-14 |
公开(公告)号: | CN101436581A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 傅阳波;李祥福 | 申请(专利权)人: | 泉州波园射频新技术研究中心 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/66;H01L21/50 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 牛莉莉 |
地址: | 362000福建省泉州市鲤城区江南高新技*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 波段 微型 混合 集成电路 及其 制备 工艺 | ||
1、微波低波段超微型混合集成电路,其特征是:在适合传输射频信号的介质材料基片上具有通过超微细微带薄膜工艺制作的微波低波段超微型电路的无源电路,符合微波低波段电路特性的微波低波段超微型电路的有源电路器件楔焊固定在所述基片上,所述的无源电路和有源电路器件在所述基片上结合成一个完整的微波低波段超微型混合集成电路。
2、根据权利要求1所述的微波低波段超微型混合集成电路,其特征是:所述的基片为纯度99.6%以上的三氧化二铝陶瓷基片,或者蓝宝石基片,基片的厚度H范围为:
1mm≤H≤0.6mm。
3、根据权利要求1所述的微波低波段超微型混合集成电路,其特征是一种射频平衡放大器电路,组成包括一个IC放大器件、两个3dB正交电桥,IC放大器件的两个输入端分别连接第一个3dB正交电桥的耦合端、直通端,IC放大器件的两个输出端分别连接第二个3dB正交电桥的耦合端、直通端,射频输入连接第一个3dB正交电桥的输入端,第二个3dB正交电桥输出端的输出即为平衡放大的射频输出,两个3dB正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地,两个3dB正交电桥以及IC放大器件的外围电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上,IC放大器件楔焊固定在该陶瓷基片上,所述的陶瓷基片为介电常数9.6、厚度0.2mm的三氧化二铝陶瓷基片。
4、根据权利要求1所述的微波低波段超微型混合集成电路,其特征是一种射频选频放大模组电路,组成包括两级平衡放大电路和微带带通滤波器,射频输入连接第一级平衡放大电路的输入端,第一级平衡放大电路的输出端连接微带带通滤波器的输入端,微带带通滤波器的输出端连接第二级平衡放大电路的输入端,第二级平衡放大电路输出端的输出即为放大模组的射频输出;所述的平衡放大电路由一个IC放大器件和两个3dB正交电桥组成,IC放大器件的两个输入端分别连接第一个3dB正交电桥的耦合端、直通端,IC放大器件的两个输出端分别连接第二个3dB正交电桥的耦合端、直通端,第一个3dB正交电桥的输入端为平衡放大电路的输入端,第二个3dB正交电桥的输出端为平衡放大电路的输出端,两个3dB正交电桥的隔离端分别连接一个电阻后接地;两级平衡放大电路的3dB正交电桥及其IC放大器件的外围电路、微带带通滤波器通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上,IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上,所述的微带带通滤波器为高选择性椭圆函数带通滤波器,陶瓷基片为介电常数9.9、厚度0.3mm的三氧化二铝陶瓷基片。
5、根据权利要求1所述的微波低波段超微型混合集成电路,其特征是一种射频自动增益控制外差式接收模组电路,组成包括射频信号输入依次连接的平衡放大器、匹配型电调衰减器、微带带通滤波器、平衡放大器、单平衡混频器,由单平衡混频器输出中频信号;所述的平衡放大器由一个IC放大器件和两个3dB正交电桥组成,所述平衡放大器的3dB正交电桥及其IC放大器件的外围电路、匹配型电调衰减器、微带带通滤波器、单平衡混频器通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上,IC放大器件楔焊固定在陶瓷基片上,所述的微带带通滤波器为高选择性椭圆函数带通滤波器,陶瓷基片为介电常数9.9、厚度0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。
6、根据权利要求1所述的微波低波段超微型混合集成电路,其特征是一种微带双工器电路,组成包括三个微带带通滤波器和两个3dB正交电桥,第一滤波器的一端与第一电桥的一个输入输出接口连接,其通带频率与第二、第三滤波器不相同,第二、第三滤波器的通带频率相同,并接于第一电桥、第二电桥的耦合端、直通端之间,第二电桥的隔离端连接一个电阻后接地,第二电桥的输入输出接口、第一电桥的另一个输入输出接口以及第一滤波器的另一端即为微带双工器的三个输入输出接口,所述的微带带通滤波器和3dB正交电桥及其连接电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上,所述的微带带通滤波器为高选择性椭圆函数带通滤波器,陶瓷基片为介电常数9.9、厚度0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。
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