[发明专利]降低亚微米集成电路接触孔电阻的方法有效
| 申请号： | 200710135506.3 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101159248A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵文彬;陈海峰;刘允;肖志强 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 微米 集成电路 接触 电阻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.降低亚微米集成电路接触孔电阻的方法，其特征在于，
第一步，清洗，用二氧化硅腐蚀液(BOE)漂30-40秒，快速冲水8-10次，甩干，BOE腐蚀速率对热氧生长的二氧化硅约为85nm/min，35秒漂掉约为43-57nm；
第二步，进行金属淀积
a、除气，温度：300±15℃，时间：55-65秒，目的：去除圆片中吸附的水汽；
b、Ti淀积，功率：2000W±5％，淀积膜层厚度为40±10％nm；
c、101TiN淀积，功率：6500W±10％，淀积膜层厚度为60±10％nm；
d、AL淀积，功率9000W±5％，温度：175±15℃；或者另外一种淀积方式：功率：2000W±5％，温度：400±15℃；淀积膜层厚度全为1000±5％nm；
第三步，出片检查，送金属光刻工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微晶园电子有限公司，未经无锡中微晶园电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710135506.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
