[发明专利]具有高度精确的边缘纵剖面的半导体晶片及其制造方法

权利要求书

1.半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，其特征在于，所述边缘纵剖面在所述半导体晶片的整个圆周上的参数具有以下标准偏差：

-所述半导体晶片的正面上的小面与钝边之间的过渡区域的过渡半径r₁的标准偏差小于12μm，

-所述半导体晶片的背面上的小面与钝边之间的过渡区域的过渡半径r₂的标准偏差小于10μm，

-所述半导体晶片的正面上的小面高度B₁及背面上的小面高度B₂的标准偏差均小于5μm，

-所述半导体晶片的正面上的小面长度A₁的标准偏差小于11μm，

-所述半导体晶片的背面上的小面长度A₂的标准偏差小于8μm，及

-所述半导体晶片的正面上的小面夹角θ₁及背面上的小面夹角θ₂的标准偏差均小于0.5°。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其特征在于基本上为圆形的截面以及至少一个选自以下组中的取向标记：槽口及平坦；所述边缘纵剖面的参数即使在所述取向标记的区域内也具有如权利要求1中所给定的标准偏差。

3.多个半导体晶片，其具有正面、背面以及沿着所述半导体晶片的圆周的边缘，所述边缘连接所述正面和背面，并且具有确定的边缘纵剖面，其特征在于，所述边缘纵剖面在所有的多个半导体晶片上的参数具有以下标准偏差：

-所述半导体晶片的正面上的小面与钝边之间的过渡区域的过渡半径r₁的标准偏差小于12μm，

-所述半导体晶片的背面上的小面与钝边之间的过渡区域的过渡半径r₂的标准偏差小于10μm，

-所述半导体晶片的正面上的小面高度B₁及背面上的小面高度B₂的标准偏差均小于5μm，

-所述半导体晶片的正面上的小面长度A₁的标准偏差小于11μm，

-所述半导体晶片的背面上的小面长度A₂的标准偏差小于8μm，及

-所述半导体晶片的正面上的小面夹角θ₁及背面上的小面夹角θ₂的标准偏差均小于0.5°。

4.根据权利要求3所述的多个半导体晶片，其中每个半导体晶片的特征在于基本上为圆形的截面以及至少一个选自以下组中的取向标记：槽口及平坦；所述边缘纵剖面的参数即使在所述取向标记的区域内也具有如权利要求1中所给定的标准偏差。

5.用于制造半导体晶片的方法，其包括以下步骤：

a)从半导体晶体块分离半导体晶片，

b)机械加工所述半导体晶片，其中改变所述半导体晶片的边缘纵剖面，

c)测量所述半导体晶片的边缘纵剖面，

d)确定所测边缘纵剖面相对于理论边缘纵剖面的与位置相关的偏差，及

e)改变机械加工的参数，其方式是使下一个半导体晶片的后续机械加工形成的边缘纵剖面相对于理论边缘纵剖面的偏差小于之前经机械加工的半导体晶片的边缘纵剖面。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在机械加工所述半导体晶片之前于步骤b)中额外地测量所述边缘纵剖面，并且相互比较在机械加工之前和之后的两次测量的结果，从而在整个边缘纵剖面上与位置相关地测定由机械加工产生的材料去除量。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，步骤b)中的所述机械加工选自以下组中：边缘磨圆、边缘抛光、磨削至少一个面、研磨、蚀刻、抛光至少一个面、清洁及外延涂覆。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在步骤b)中利用经抛光的磨削圆盘实施边缘磨圆，而且在步骤e)中

-若在步骤d)中确定所述半导体晶片的正面上的小面长度A₁以及所述半导体晶片的背面上的小面长度A₂的至少之一相对于理论值的偏差超出允许尺度，则再次调节磨削圆盘的位置；

-若在步骤d)中确定所述边缘纵剖面的其他参数相对于理论值的偏差超出允许尺度，则更换所述磨削圆盘。