[发明专利]埋入式芯片基板结构无效
申请号: | 200710136100.7 | 申请日: | 2007-07-17 |
公开(公告)号: | CN101350338A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 罗兴伦;林世宗;林贤杰;江国春 | 申请(专利权)人: | 南亚电路板股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/492;H01L23/367;H01L23/13;H05K1/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 埋入 芯片 板结 | ||
1.一种埋入式芯片基板结构,包含有:
一基板,包括一中间介电层、一第一金属层设于所述的基板的第一面上以及一第二金属层设于所述的基板的第二面上,其中所述的基板的所述的第一面上设有一凹穴;
一金属槽体,嵌入在所述的凹穴中,且所述的金属槽体具有一平坦底部;
一半导体芯片,固定于所述的金属槽体的所述的平坦底部;
一介电层,覆盖在所述的基板的第一面上;
至少一增层线路层,设于所述的介电层上;
一防焊阻剂层,覆盖在所述的增层线路层及所述的介电层上;
一散热金属层,覆盖在所述的第二金属层上;以及
复数散热插塞,连结所述的金属槽体的所述的平坦底部及所述的散热金属层;
其中所述的半导体芯片运作时产生的热,可经由所述的金属槽体以及所述的散热插塞传导至所述的散热金属层,进行散热。
2.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的介电层进一步填入所述的金属槽体与所述的半导体芯片之间的间隙。
3.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,另包含有复数个导电插塞,形成在所述的介电层中,用来电连接所述的增层线路层与所述的半导体芯片。
4.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的防焊阻剂层另包含有复数个开孔,曝露出部分的所述的增层线路层。
5.如权利要求4所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,另包含有复数个锡球,分别植入在所述的复数个开孔中,用来作为所述的基板与一外部线路之间的连结。
6.如权利要求5所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的外部线路包括一印刷电路板。
7.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的第一金属层包含有铜、铁、金、铝。
8.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的第二金属层包含有铜、铁、金、铝。
9.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的散热金属层包含有铜。
10.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的中间介电层包含有玻璃纤维或树脂。
11.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的介电层包含有环氧树脂或ABF绝缘材。
12.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的半导体芯片使用具黏着特性的溶液以固定于所述的金属槽体的平坦底部表面上。
13.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的散热插塞为铜插塞。
14.如权利要求1所述的埋入式芯片基板结构,其特征在于,所述的金属槽体包含有铜。
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