[发明专利]在存储器单元中形成沟槽和接触的方法

权利要求书

1.一种在存储器单元中形成沟槽和接触的方法，其特征在于，该方法包括：

提供一存储器阵列，该存储器阵列包括设置在一半导体基板一表面下方的多个位元线以及设置在该基板的所述表面上方并与所述位元线横向的多个字线；

在该多个字线上形成一硬屏蔽材料层，其中位于该至少一位元线上方并位于两个连续字线之间的区域暴露在该硬屏蔽材料层中的一开口下方；

在该硬屏蔽材料层上方形成一绝缘材料层；

在该区域上方的该绝缘材料层中形成一相邻沟槽及通孔图案，使得该至少一个位元线的一部分暴露在该图案下方；以及

形成一互连件，该互连件包括设置在该相邻沟槽及通孔图案中的导电材料，其中该互连件与该至少一个位元线的暴露部分导电性接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该互连件的步骤包括在该相邻沟槽及通孔图案中沉积一导电材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成该互连件进一步包括平坦化该绝缘材料层，使得沉积在该相邻沟槽及通孔图案外部的导电材料被移除。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该存储器阵列包括一非易失性存储器元件，其中一电荷存储结构设置在该基板的该表面与两个连续位元线之间的该至少一字线之间。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该电荷存储结构包括一电荷捕获氮化层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该一个或一个以上字线具有上表面以及侧壁，以及其中该硬屏蔽材料层包括在该一个或一个以上字线的该上表面上方形成一硬屏蔽帽层，并在该一个或一个以上字线的该侧壁上形成一硬屏蔽隔片。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该硬屏蔽材料层以使得位于该多个位元线中的每一位元线上方并位于两个连续字线之间的一区域暴露在该硬屏蔽材料层中的多个开口下方；其中在该区域上方的该绝缘材料层中形成一个或一个以上相邻沟槽及通孔图案，使得该多个位元线中的每一位元线的一部分暴露在该一个或一个以上图案下方；以及其中形成一个或一个以上互连件，使得该多个位元线中的每一暴露部分与该一个或一个以上互连件中的至少一互连件导电性接触。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该绝缘材料层中形成该相邻沟槽及通孔图案包括在该绝缘材料层上方形成一光刻胶图案以及移除在该光刻胶图案下方暴露的该绝缘材料层的一部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该绝缘材料层包括一层间介电层以及一金属间介电层。

10.一种在存储器单元中形成沟槽和接触的方法，其特征在于，该方法包括：

提供一存储器阵列，该存储器阵列包括设置在一半导体基板的一表面下方的多个位元线以及设置在该基板的表面上方并与该位元线横向的多个字线；其中该至少一位元线的至少部分地被一介电材料覆盖；

在该多个字线上方形成一硬屏蔽材料层，其中位于该介电材料上方并位于两个连续字线之间的一区域暴露在该硬屏蔽材料层中的一开口下方；

在该硬屏蔽材料层上方形成一绝缘材料层；

在该区域上方的该绝缘材料层以及该区域下方的该介电材料中形成一相邻沟槽及通孔图案，使得该至少一个位元线的一部分暴露在该图案下方；以及

形成一互连件，该互连件包括设置在该相邻沟槽及通孔图案中的导电材料，其中该互连件与该至少一个位元线的暴露部分导电性接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成该互连件包括在该相邻沟槽及通孔图案中沉积一导电材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成该互连件进一步包括平坦化该绝缘材料层，使得沉积在该相邻沟槽及通孔图案外部的导电材料被移除。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该存储器阵列包括一非易失性存储器元件，其中一电荷存储结构设置在该基板的该表面与两个连续位元线之间的该至少一字线之间。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该电荷存储结构包括一电荷捕获氮化层。