[发明专利]晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，包含：

基材，该基材具有一定的晶格方向；

栅极沟槽，位于该基材中，该栅极沟槽包含具有第一宽度的颈部与第二宽度的笔型底部，其中该颈部包含第一导电层，该笔型底部具有垂直侧壁和V形尖端，且该垂直侧壁和V形尖端沿着基材的晶格方向形成，该笔型底部包含第二导电层且该第一宽度小于该第二宽度；

栅极结构，其位于该栅极沟槽上并与该第一导电层电连接；

源极掺杂区，设于该基材中，并位于该栅极沟槽的一侧；

漏极掺杂区，设于该基材中，并位于该栅极沟槽的另一侧；

栅极沟道，设于该基材中，并介于该漏极掺杂区与该源极掺杂区之间；以及

介电层，其覆盖该栅极结构、该源极掺杂区与该漏极掺杂区。

2.如权利要求1的晶体管结构，进一步包含位于该笔型底部上的栅极介电层。

3.如权利要求1的晶体管结构，其中该颈部包含颈衬介电层。

4.一种形成晶体管结构的方法，包含：

提供基材，该基材具有一定的晶格方向，并在该基材中形成深沟槽；

以碱性蚀刻剂进行选择性湿蚀刻，以扩大该深沟槽成为栅极沟槽，其中该栅极沟槽包含具有第一宽度的颈部与第二宽度的笔型底部，该笔型底部具有垂直侧壁和V形尖端，且该垂直侧壁和V形尖端沿着基材的晶格方向形成，且该第一宽度小于该第二宽度；

沉积介电层以覆盖该栅极沟槽；

形成第一导电层以部分填充该栅极沟槽；

形成第二导电层以填满该栅极沟槽，其中该第二导电层与该第一导电层电连接；以及

形成栅极结构、源极掺杂区与漏极掺杂区以形成该晶体管结构，其中该栅极结构位于该栅极沟槽上并与该第二导电层电连接，且该源极掺杂区与该漏极掺杂区位于该基材中并分别位于该栅极沟槽的一侧。

5.如权利要求4的方法，其中形成该深沟槽包含：

在该基材上形成底层和顶层；

进行干蚀刻，蚀刻该顶层、该底层及该基材，以形成凹口；

选择性沉积保护层，以覆盖该顶层、该底层以及该凹口内部分的该基材；以及

利用该保护层为蚀刻掩模，蚀刻未被该保护层覆盖的该凹口而成为该深沟槽。

6.如权利要求4的方法，其中形成该第一导电层包含：

沉积该第一导电层以填满该栅极沟槽；以及

回蚀刻该第一导电层至预定的深度，以使得该第一导电层部分填充该栅极沟槽。

7.如权利要求4的方法，其中进行选择性沉积该第二导电层之前，进一步包含：

在该颈部形成颈衬介电层。