[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，是具备结晶性硅层和栅电极的薄膜晶体管阵列基板，该结晶性硅层具有形成在基板上的第1导电型的源极区域、第1导电型的漏极区域以及配置在上述源极区域和上述漏极区域之间的沟道区域，该栅电极则隔着栅极绝缘膜配置在上述沟道区域的对面；

上述沟道区域含有在膜厚方向上以预定分布导入的第2导电型杂质；

在上述沟道区域与上述基板的界面附近或上述基板一侧具有上述第2导电型杂质的最大浓度点。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

在上述沟道区域与上述基板的界面上，上述第2导电型杂质的浓度大于等于1×10¹⁶/cm³。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

在上述沟道区域和上述漏极区域之间形成第1导电型杂质浓度比上述漏极区域低的低浓度区域。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

在上述沟道区域和上述源极区域之间形成第1导电型杂质浓度比上述源极区域低的低浓度区域。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

其具备从上述沟道区域延展并从上述栅电极暴露出来而形成的、含有上述第2导电型杂质的延展图案。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

其具备与上述延展图案相连接的导电图案。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

上述延展图案与上述源极区域电连接。

8.一种显示装置，其具有权利要求1至7的任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

9.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中薄膜晶体管阵列基板具备结晶性硅层和栅电极，该结晶性硅层具有形成在基板上的第1导电型的源极区域、第1导电型的漏极区域以及配置在上述源极区域和上述漏极区域之间的沟道区域，该栅电极则隔着栅极绝缘膜配置在上述沟道区域的对面，所述制造方法包括：

形成上述结晶性硅层的工序；

在上述沟道区域的膜厚方向上以预定分布导入上述第2导电型杂质，以便在上述沟道区域与上述基板的界面附近或上述基板一侧形成上述沟道区域中的第2导电型杂质的最大浓度点的工序。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，

进一步包括在上述结晶性硅层上形成保护膜的工序；

在隔着上述保护膜将上述第2导电型杂质导入上述结晶性硅层之后去除上述保护膜，使上述结晶性硅层显露出来；

在上述显露出来的结晶性硅层上形成栅极绝缘膜。

11.如权利要求9或10所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，

在上述沟道区域与上述基板的界面上，上述第2导电型杂质的浓度大于等于1×10¹⁶/cm³。

12.如权利要求9或10所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，

在形成上述结晶性硅层的工序中，形成从上述沟道区域延展的延展图案；

在导入上述第2导电型杂质的工序中，向上述沟道区域和上述延展图案导入第2导电型杂质；

上述制造方法具有在上述结晶性硅层上形成栅电极之后向从上述栅电极暴露出来的上述延展图案导入第2导电型杂质的工序。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，具有形成连接到上述延展图案的导电图案的工序。