[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：

在半导体衬底上形成具有第一宽度的光刻胶图形；

使用该光刻胶图形作为掩模蚀刻该半导体衬底，以形成半导体凸 起部；

在包括该半导体凸起部的半导体衬底的整个表面上形成氧化层；

除去该半导体凸起部，以形成被该氧化层包围的沟槽；

在该沟槽上实施覆盖蚀刻，以仅仅留下一部分形成于该沟槽周围 的氧化层；

在包括该部分氧化层的该半导体衬底的整个表面上沉积金属；并 且

除去该部分氧化层，以形成金属图形。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在利用该光刻胶图形作为掩 模蚀刻该半导体衬底后，除去该光刻胶图形。

3.如权利要求1所述的方法，其中除去该半导体凸起部以形成该 沟槽包括：

抛光该氧化层，以将该半导体凸起部暴露出来；以及

蚀刻该暴露的半导体凸起部，以除去该半导体凸起部。

4.如权利要求3所述的方法，其中蚀刻该暴露的半导体凸起部包 括利用氟化乙烯丙烯选择性地湿法蚀刻该半导体凸起部。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成该氧化层包括湿法氧化该 半导体衬底的表面以形成该氧化层。

6.如权利要求5所述的方法，其中该湿法氧化是在900-1000℃ 温度下实施的。

7.如权利要求1所述的方法，其中该形成该氧化层使得该半导体 凸起部具有比第一宽度窄的第二宽度。

8.如权利要求7所述的方法，其中该氧化层的厚度的40-50％是 从该半导体凸起部形成的。

9.如权利要求1所述的方法，其中该实施覆盖蚀刻包括实施反应 性离子蚀刻工艺，其中该氧化层是通过该反应性离子蚀刻工艺仅仅在 高度方向上被除去的。

10.如权利要求1所述的方法，其中沉积金属包括使用电子束蒸 发工艺来沉积铜。

11.如权利要求1所述的方法，其中该氧化层的厚度x由等式x ＝x1+x2给出，并且在形成该氧化层之后该半导体凸起部d2的厚度由 等式d2＝d1-2(x1)给出，

其中d1是第一宽度，x1是从该半导体凸起部中形成的部分氧化 层的厚度，x2是从该半导体凸起部的外部形成的部分氧化层的厚度， 并且

其中该金属图形包括具有宽度为d1的第一金属线和宽度为 d3-2(x2)的第二金属线，

其中d3是该光刻胶图形之间的距离。