[发明专利]电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器，包括：

介电层；

第一导电层，位于该介电层上；

支撑肋，沿第一方向延伸并埋设于该第一导电层中；

第二导电层，沿垂直于该第一方向的第二方向延伸并埋设于该第一导电层中，其中该第二导电层的一部分跨置于该支撑肋上且为该支撑肋所支撑；以及

电容层，设置于该第二导电层与该第一导电层之间，以电性隔离该第二导电层与该第一导电层。

2.如权利要求1所述的电容器，其中该第二导电层具有基本上W形的剖面。

3.如权利要求2所述的电容器，其中该第一导电层具有多个底部与多个突出部，这些底部相互分隔且分别接触该介电层，而这些突出部未接触该介电层。

4.如权利要求3所述的电容器，其中该电容层设置于该第一导电层的这些底部上，以电性隔离该第二导电层与该第一导电层。

5.如权利要求3所述的电容器，其中该电容层设置于该第一导电层的这些突出部的两对应表面上，以电性隔离该第二导电层与该第一导电层。

6.如权利要求1所述的电容器，其中该电容层包括含氮介电材料或高介电常数介电材料。

7.如权利要求1所述的电容器，其中该第一导电层与该第二导电层包括钨、钛、氮化钛、钽、氮化钽、铂、钌或经掺杂的多晶硅。

8.一种电容器的制造方法，包括：

提供第一介电层；

于该第一介电层上形成第二介电层；

于该第二介电层内形成第一沟槽，该第一沟槽沿第一方向延伸；

于该第一沟槽内形成支撑层，填满该第一沟槽；

于该第二介电层上形成第三介电层，该第三介电层覆盖该支撑层；

于该第三介电层与该第二介电层形成基本上W形的第二沟槽，其中该第二沟槽的一部分沿垂直于该第一方向的第二方向跨越该支撑层，以露出部分的该第二介电层的底面、该第二介电层与该第三介电层的侧壁以及该支撑层的顶面；

顺应地形成第一导电层于该第二沟槽内，覆盖为该第二沟槽所露出的第二介电层的该底面、该第二介电层与该第三介电层的该侧壁以及该支撑层的该顶面，该第一导电层为基本上W形；

施行蚀刻程序，移除该第三介电层与该第二介电层，留下该第一导电层并露出该第一介电层的一部分，其中该第一导电层的一部分为该支撑层所支撑；

形成电容层于该第一导电层与该第一介电层的表面上；以及

坦覆地形成第二导电层于该电容层、该第一导电层与该第一介电层之上，以埋设该第一导电层、该支撑层与该电容层于该第二导电层中。

9.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其中该第一导电层具有多个底部与多个突出部，这些底部相互分隔且分别接触该第一介电层，而这些突出部未接触该第一介电层。

10.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其中该电容层设置于该第一导电层的这些底部上，以电性隔离该第二导电层与该第一导电层。

11.如权利要求9所述的电容器的制造方法，其中该电容层设置于该第二导电层的这些突出部的两对应表面上，以电性隔离该第二导电层与该第一导电层。

12.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其中该电容层包括含氮介电材料或高介电常数介电材料。

13.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其中该第一导电层与该第二导电层包括钨、钛、氮化钛、钽、氮化钽、铂、钌或经掺杂的多晶硅等导电材料。

14.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其中该第二介电层与该第三介电层具有同类的介电材料。

15.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其中该蚀刻程序为湿蚀刻程序。

16.如权利要求8所述的电容器的制造方法，其中该第二沟槽具有基本上中空圆形或椭圆形的顶面。