[发明专利]衬底加工设备和衬底加工方法无效
申请号: | 200710136701.8 | 申请日: | 2003-05-16 |
公开(公告)号: | CN101101861A | 公开(公告)日: | 2008-01-09 |
发明(设计)人: | 白樫充彦;安田穗积;粂川正行;小畠严贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/321;H01L21/67;H01L21/768;C25F7/00;C25F3/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘兴鹏;邵伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 加工 设备 方法 | ||
1.一种衬底加工设备,包括:
用于保持衬底的机头区段;
对衬底表面电镀以形成电镀金属膜的镀膜区段;
用于在镀膜之后清洁该衬底的清洁区段;以及
电解加工区段,该区段用于这样对在该衬底上至少所述金属膜进行电解去除加工,即通过使离子交换剂存在于清洁后的该衬底和电极之间、并在液体存在的情况下把电压施加在该衬底和该电极之间;
其中该机头区段能够在该镀膜区段、该清洁区段和该电解区段之间移动,同时保持该衬底。
2.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该清洁区段布置在该镀膜区段和该电解加工区段之间。
3.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该清洁区段包括清洗液喷嘴。
4.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该清洁区段包括用于在清洁后干燥该衬底的干燥装置。
5.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该电解加工区段通过如下这样进行该电解加工,即通过把纯水、超纯水或者具有不超过500μs/cm电导率的液体供应在镀膜后的该衬底与该电极之间。
6.根据权利要求1的衬底加工设备,其中在该镀膜区段的镀膜和在该电解加工区段的电解去除加工至少重复地进行两次。
7.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该镀膜区段包括:
阳极;
布置在该阳极和该衬底之间的离子交换剂;以及
用于把镀液供应到该离子交换剂和该衬底之间的镀液供应区段。
8.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该机头区段包括能打开/关闭的进给接触元件,该元件用于对保持在该机头区段下部表面的衬底外围部分进行保持,并把电力供应到该衬底。
9.根据权利要求8的衬底加工设备,其中该进给接触元件由沿着该机头区段圆周方向以预定间隔布置的多个元件组成。
10.根据权利要求8的衬底加工设备,其中该进给接触元件具有由金属形成的进给元件,该金属与在该衬底上的金属膜不反应。
11.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该电解加工区段具有用于对在该衬底上金属膜的厚度进行探测的传感器。
12.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该镀膜区段和该电解镀膜区段每个均具有电源。
13.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该机头区段、该镀膜区段、该清洁区段以及该电解加工区段安装在一个加工单元内。
14.根据权利要求13的衬底加工设备,其中该加工单元带有用于把惰性气体供应到该加工单元内的惰性气体供应区段。
15.根据权利要求1的衬底加工设备,其中该电解加工区段和该镀膜区段连接到共同的电源上,同时该电源可通过电源选择器开关可切换地连接到该电解加工区段或者该镀膜区段。
16.一种衬底加工设备,包括:
用于保持衬底的机头区段;
对衬底表面电镀以形成电镀金属膜的镀膜区段;
用于在该镀膜后清洁该衬底的清洁区段;以及
具有加工电极的电解加工区段,该区段用于这样对在该衬底上至少所述金属膜进行电解去除加工,即在液体存在情况下通过把电压施加在清洁后的衬底和该加工电极之间;
其中该机头区段能够在该镀膜区段、该清洁区段和该电解区段之间移动,同时保持该衬底。
17.根据权利要求16的衬底加工设备,其中该清洁区段布置在该镀膜区段和该电解加工区段之间。
18.根据权利要求16的衬底加工设备,其中该清洁区段包括清洗液喷嘴。
19.根据权利要求16的衬底加工设备,其中该清洁区段包括用于在清洁后干燥该衬底的干燥装置。
20.根据权利要求16的衬底加工设备,其中该电解加工区段通过如下这样进行该电解加工,即通过把纯水、超纯水或者具有不超过500μs/cm电导率的液体供应到镀膜后该衬底和该电极之间。
21.根据权利要求16的衬底加工设备,其中在该镀膜区段的镀膜和在该电解加工区段的电解去除加工至少重复地进行两次。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造