[发明专利]存储元件及半导体装置

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一导电层；以及

金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，

其中，所述金属氧化物层、所述半导体层、以及所述有机化合物层被所述第一导电层以及所述第二导电层夹持，

并且，所述金属氧化物层与所述第一导电层接触。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层与所述金属氧化物层接触。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层与所述第二导电层接触。

4.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述金属氧化物层为所述第一导电层所包括的金属的氧化物。

5.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层为不连续层。

6.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层包括选自氧化钼、氧化锡、氧化铋、氧化钒、氧化钛、氧化铁、氧化铬、氧化铜、氧化锰硅、氧化镍、氧化锌、硅锗、砷化镓、氮化镓、氧化铟、磷化铟、氮化铟、硫化镉、碲化镉、以及钛酸锶中的任何一种化合物。

7.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，所述有机化合物层包括电子传输材料或空穴传输材料，

并且，所述半导体层包括金属氧化物。

8.根据权利要求1所述的存储元件，还包括在所述衬底上的用作天线的第三导电层。

9.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述第一导电层电连接到薄膜晶体管。

10.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述衬底是柔性的。

11.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述有机化合物层可以通过在所述第一导电层和所述第二导电层之间施加电压来改变其形状。

12.一种半导体装置，包括：

配置为矩阵状的多个存储元件，该多个存储元件各自包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，

其中，所述金属氧化物层、所述半导体层、以及所述有机化合物层被所述第一导电层以及所述第二导电层夹持，

并且，所述金属氧化物层与所述第一导电层接触。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层与所述金属氧化物层接触。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层与所述第二导电层接触。

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述金属氧化物层为所述第一导电层所包括的金属的氧化物。

16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层为不连续层。

17.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层包括选自氧化钼、氧化锡、氧化铋、氧化钒、氧化钛、氧化铁、氧化铬、氧化铜、氧化锰硅、氧化镍、氧化锌、硅锗、砷化镓、氮化镓、氧化铟、磷化铟、氮化铟、硫化镉、碲化镉、以及钛酸锶中的任何一种化合物。

18.根据权利要求12所述的半导体装置，

其中，所述有机化合物层包括电子传输材料或空穴传输材料，

并且，所述半导体层包括金属氧化物。

19.根据权利要求12所述的半导体装置，还包括在所述衬底上的用作天线的第三导电层。

20.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一导电层电连接到薄膜晶体管。

21.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述衬底是柔性的。

22.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述有机化合物层可以通过在所述第一导电层和所述第二导电层之间施加电压来改变其形状。

23.一种存储装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成第一导电层；

通过使所述第一导电层的表面氧化来形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成有机化合物层；以及

在所述有机化合物层上形成第二导电层。