[发明专利]多层基板及其制造方法有效
申请号: | 200710136874.X | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN101346037A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 杨之光;张振义 | 申请(专利权)人: | 巨擘科技股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K3/46 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽;刁文魁 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层基板,包括若干介电层以及若干金属线路层,这些介电层以及这些金属线路层交互迭置,这些介电层相互黏结,使该些金属线路层分别地内嵌于对应的该些介电层,其特征在于:这些介电层的材质相同。
2.如权利要求1所述的多层基板,其特征在于:这些介电层的材质为聚酰亚胺。
3.如权利要求1所述的多层基板,其特征在于:这些介电层的材质为苯并环丁烯。
4.如权利要求1所述的多层基板,其特征在于:该多层基板还进一步包括若干个导通孔,位于这些介电层中,用以连接该些金属线路层。
5.如权利要求4所述的多层基板,其特征在于:位于该多层基板表面的这些介电层是作为防焊层使用。
6.权利要求1所述的多层基板,其特征在于:这些介电层间施以一接口附着强化的处理,以增加这些介电层间的附着强度。
7.权利要求6所述的多层基板,其特征在于:该接口附着强化处理为一等离子体工艺处理。
8.如权利要求1所述的多层基板,其特征在于:这些金属线路层的侧面是无间隙地与对应的该些介电层密合。
9.如权利要求1所述的多层基板,其特征在于:这些介电层之一的厚度小于100μm。
10.如权利要求1所述的多层基板,其特征在于:这些介电层以涂布方式形成。
11.一种制造多层基板的方法,该方法包括下列步骤:
a.提供一载板;
b.以涂布方式在该载板上形成一第一介电层;
c.干燥该第一介电层,使该第一介电层硬化;
d.在该第一介电层上形成一金属线路层;
e.以涂布方式在该金属线路层上形成一第二介电层;
f.干燥该第二介电层,使该第二介电层硬化;以及
g.将该多层基板自该载板分离。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤f之后,还包括一步骤,其中重复步骤d至步骤f,形成交互迭置的这些第二介电层以及这些金属线路层,这些第二介电层相互黏结,用以使这些金属线路层分别地内嵌于对应的这些第二介电层。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于:在每一步骤f后,还包括一在该第二介电层制作至少一导通孔的步骤,用以连接这些金属线路层。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于:在每一步骤e前,还包括一施以一接口附着强化处理的步骤,以增加这些第二介电层间的附着强度。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于:该接口附着强化处理为一等离子体工艺处理。
16.如权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤e前,还包括一施以一接口附着强化处理的步骤,以增加该第一介电层与该第二介电层间的附着强度。
17.如权利要求16所述的方法,其特征在于:该接口附着强化处理为一等离子体工艺处理。
18.如权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤c之后,还包括一在该第一介电层制作至少一导通孔的步骤,用以使该第一介电层作为一防焊层。
19.如权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤g之后,还包括一在该第一介电层制作至少一导通孔的步骤,用以使该第一介电层作为一防焊层。
20.如权利要求11所述的方法,其特征在于:在步骤e中以涂布方式形成该第二介电层在该金属线路层上,以使该金属线路层的侧面无间隙地与对应的该第二介电层密合。
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