[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：半导体层、形成于所述半导体层上的发射极区域、基极区域以及集电极区域，其特征在于，

在作为所述基极区域使用的所述半导体层上扩散有钼(Mo)。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体层是在一导电型半导体衬底上堆积相反导电型的外延层而构成，所述外延层作为所述基极区域使用，至少在所述外延层上扩散有所述钼(Mo)。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在半导体层上形成绝缘层，在至少形成发射极区域或者集电极区域的区域的所述绝缘层上形成开口部的工序；

洗净所述半导体层表面之后，将含有扩散于所述半导体层的钼(Mo)的水溶液涂敷在所述半导体层表面，使从所述开口部露出的所述半导体层表面为亲水性的工序；

在将含有形成所述发射极区域或者集电极区域的杂质的液体源极涂敷在所述半导体层上后，使所述钼(Mo)及所述杂质热扩散到所述半导体层的工序。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在一导电型的衬底上形成相反导电型的外延层，在所述外延层上形成绝缘层之后，在至少形成有隔离区域、发射极区域或集电极区域的区域的所述绝缘层上形成开口部的工序；

洗净所述外延层表面之后，将含有扩散于所述外延层的钼(Mo)的水溶液涂敷在所述外延层表面，以使从所述开口部露出的所述外延层表面为亲水性的工序；

在将含有形成所述分离区域、发射极区域或者集电极区域的杂质的液体源极涂敷在所述外延层上后，使所述钼(Mo)及所述杂质热扩散到所述外延层的工序。