[发明专利]基板的处理装置有效
申请号: | 200710136983.1 | 申请日: | 2007-07-26 |
公开(公告)号: | CN101114575A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 今冈裕一;西部幸伸 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;G03F7/26;G03F7/30;G02F1/13;G02F1/1333 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在被搬运的基板的上表面沿着与该基板的搬运方向交叉的方向供给处理液并处理的基板的处理装置。
背景技术
例如,在液晶显示装置的制造工序中,有在玻璃制的基板上形成电路图形的工序。当在基板上形成电路图形时,在成膜了的基板上涂敷抗蚀剂后曝光,在曝光后利用显影液进行显影处理后,用蚀刻液进行蚀刻处理,由此,在基板的表面精密地形成电路图形。
在基板上形成电路图形后,利用剥离液去除附着残留在该基板的表面上的抗蚀剂膜或抗蚀剂残渣等有机物。利用剥离液去除有机物后,用清洗液清洗处理该基板的板面后交付到下一个工序。
当用显影液、蚀刻液、剥离液以及清洗液等处理液处理基板时,进行如下操作:利用搬运构件将上述基板按规定方向搬运的同时,在该基板的上表面将上述处理液沿着与基板搬运方向交叉的方向直线状地供给并处理。在专利文献1中示出在被搬运的基板上供给处理液的喷嘴体。
在专利文献1所示的喷嘴体中,在下表面沿着较长方向以规定间隔形成多个吐出口。在该喷嘴体中具备:积液室,使被供给的处理液滞留;以及吐液流路,一端与上述吐出口连通、另一端与上述积液室连通、使滞留在积液室的处理液流经吐出口并吐出。
然后,在被搬运的上述基板的上方布置上述结构的喷嘴体,使该喷嘴体的较长方向沿着与上述基板的搬运方向交叉的方向。由此,若使处理液从上述吐出口流出,则在按规定方向被搬运的基板的上表面,能够沿着与搬运方向交叉的方向直线状地供给该处理液。
在上述喷嘴体的积液室上连接供给管,处理液由该供给管供给到积液室中。处理液滞留在该积液室的同时,经由吐液流路从形成在喷嘴体的下表面的吐出口流出。
但是,若采用这样的结构,处理液由供给管供给到积液室时,存在处理液卷入空气的情况。若处理液卷入空气,则该空气变成气泡与被供给到基板的处理液一起从吐出口流出。
与处理液一起流出到基板的气泡有不破裂而残留的情况,这时基板的残留了气泡的部分变为未附着处理液的状态或者附着量比其他部分少的状态,因此在利用处理液的基板处理中有发生不均的情况。
因此,将处理液供给到基板时,进行去除包含在该处理液中的气泡的工序。在专利文献2中示出使供给到基板的处理液中不含气泡的处理装置。
在专利文献2中所示的处理装置带有处理液吐出喷嘴。在该处理液吐出喷嘴的框体的上表面连接有输液管和排液管,在下表面形成吐出孔。处理液由上述输液管供给到形成在上述框体上的积液器中。被供给到积液器的处理液由上述吐出孔向基板的上表面供给。
在积液器中发生、生长的气泡利用浮力附着在积液器的顶棚面。顶棚面成为向上述排液管倾斜增高的倾斜面。由此,在积液器中发生、生长的气泡与处理液一起流到上述输液管中,因此防止由上述吐出孔供给到上述基板的处理液中含有气泡。
【专利文献1】日本特开2003-170086号公报
【专利文献2】日本特开平11-156278号公报
专利文献2所示的结构使上述那样含在处理液中的气泡附着在形成于框体的积液器的上表面,使该气泡与处理液一起从上述排液管中排出。
为此,必须在框体上连接排液管,使处理液与气泡一起通过该排液管从上述积液器中排出,因此存在招致结构的复杂化,在处理所排出的处理液上花费多的工夫和费用这样的问题。
发明内容
该发明提供一种基板的处理装置,使被卷入处理液中的气泡能够与处理液分离并确实地排出。
该发明是一种基板的处理装置,利用由处理液供给构件供给的处理液来处理被搬运的基板的上表面,其特征在于,
上述处理液供给构件具备:
主贮液部,连接了供给上述处理液的给液管;
第1流出部,设置在该主贮液部的下端,使由上述给液管供给到主贮液部并贮存的处理液流出;
辅助贮液部,贮留从该第1流出部流出的处理液;
第2流出部,设置在该辅助贮液部,将从上述第1流出部流出到上述辅助贮液部的处理液供给到上述基板的上表面;以及
第1释放部,与大气连通设置在上述辅助贮液部,使从上述第1流出部与处理液一起流出的气泡释放到大气。
若采用该发明,即使处理液卷入气泡,该处理液从主贮液部的第1流出部流出到辅助贮液部并在此残留的期间,包含在处理液中的气泡通过浮力上升并从与大气连通的第1释放部发散,因此能够防止由设置在上述辅助贮液部的第2流出部供给到基板的处理液中包含气泡。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造