[发明专利]可网印糊料,减少发射热斑的方法和制造阴极组件的方法有效
申请号: | 200710137001.0 | 申请日: | 2001-06-19 |
公开(公告)号: | CN101093766A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | R·J·布查德;L·-T·A·程;J·G·拉文;D·H·罗奇 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;H01J9/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 韦欣华 |
地址: | 美国特拉华*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可网印 糊料 减少 发射 方法 制造 阴极 组件 | ||
1.一种可网印糊料,其固体中包含碳纳米管,其中碳纳米管占固体总重量的少于9wt%。
2.权利要求1的可网印糊料,其中碳纳米管占固体总重量的0.01~2wt%。
3.一种可网印糊料,在其固体中包含碳纳米管、细银颗粒和玻璃料,其中碳纳米管占0.01~6.0wt%;细银颗粒占40~75wt%;玻璃料占3~15wt%,以糊料总重量为基准。
4.权利要求1~3中任一项的可网印糊料,其中还包含可光成像单体或聚合物。
5.一种减少场致电子发射体中发射热斑的方法,其中包括:令所述场致电子发射体暴露于反应性气体,同时将阳极电压维持在高于正常操作阳极电压的水平。
6.权利要求5的方法,其中所述反应性气体是氧气。
7.一种制造包括场致电子发射体的阴极组件的方法,其中包括印刷包含针状碳的可光成像场致电子发射体层。
8.权利要求7的方法,其中针状碳包含碳纳米管。
9.权利要求7的方法,其中还包括印刷可光成像电介质层和可光成像银门层的步骤,其中场致电子发射体层、电介质层和银门层在一次曝光中成像。
10.权利要求7的方法,其中还包括下列步骤:
(a)将一种材料与场致电子发射体接触以便在该材料与场致电子发射体之间形成粘附接触;以及
(b)将该材料与场致电子发射体分开,以除掉部分场致电子发射体或重排场致电子发射体,于是形成场致电子发射体的新表面。
11.权利要求7的方法,其中还包括下列步骤:
沿基本上垂直于场致电子发射体的平面的方向对场致电子发射体的表面施加力,以去掉部分场致电子发射体或者使场致电子发射体断裂,于是形成场致电子发射体的新表面。
12.一种制造具有用可光成像厚膜糊料制造的正常门三极管矩阵的阴极组件的方法,其中包括:
(a)在衬底上印刷可光成像银阴极层,使该银阴极层光成像并显影,然后煅烧,结果在衬底上产生银阴极喂入线;
(b)在银阴极喂入线和外露衬底的顶面印刷可光成像场致电子发射体层,使该场致电子发射体层光成像并显影成为在银阴极喂入线上的点、矩形或线;
(c)在银阴极喂入线和场致电子发射体的顶面印刷一个或多个均一可光成像电介质层,并干燥该电介质层,
(d)在电介质层顶面印刷可光成像银门线层并干燥该层银门线,
(e)采用含通道或狭缝图案的光掩模在一次曝光中同时形成银门和电介质层,从而将通道置于场致电子发射体点、矩形或线的顶面,以及
(f)将银门和电介质层显影,从而显露出在通道底面的场致电子发射体层,并将场致电子发射体、电介质和银门层在与场致电子发射体相容的条件下共煅烧。
13.一种制造具有采用可光成像厚膜糊料制造的鼓棱几何形状倒相门三极管矩阵的阴极组件的方法,其中包括:
(a)在衬底上印刷可光成像银门层、将该银门层光成像并显影,然后煅烧,结果在衬底上产生银门线,其中每条银门线的宽度超过它所控制的场致电子发射体的宽度且该门线宽度覆盖该场致电子发射体附近衬底的相当大一部分,
(b)在银门线和外露衬底顶面印刷一个或多个均一可光成像的电介质层并干燥该电介质,
(c)在电介质层顶面印刷可光成像的银阴极喂入层并干燥该银阴极喂入层,
(d)印刷可光成像场致电子发射体层并干燥该场致电子发射体层,
(e)利用含鼓棱图案的光掩模使场致电子发射体层、阴极喂入层和电介质层在一次曝光中成像,从而实现场致电子发射体与阴极喂入线在电介质鼓棱顶面上的对齐,以及
(f)将场致电子发射体层、阴极喂入层和电介质层显影,从而产生鼓棱几何特征,并在与场致电子发射体相容的条件下共煅烧场致电子发射体层、阴极喂入层和电介质层。
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