[发明专利]荧光材料、其制造方法及发光装置有效
申请号: | 200710137055.7 | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101108965A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 平松亮介;玉谷正昭;浅井博纪;大塚一昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;H01L33/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 于辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 材料 制造 方法 发光 装置 | ||
1.一种荧光材料,其包括:
一种由包含主晶相和引起光发射的激活剂的单一组成形成的材料,这种材料在受到主发光峰值波长位于370-460nm的范围内的光的激发时,表现出540-550nm波长范围的窄带发光光谱和500-600nm波长范围的宽带发光光谱。
2.根据权利要求1的荧光材料,其中所述激活剂是铽和铕,并且所述窄带发光光谱是由铽引起的光发射。
3.一种荧光材料,其包括:
包含碱土金属原硅酸盐化合物和引起光发射的激活剂的材料,这种材料在受到主发光峰值波长位于370-460nm的范围内的光的激发时,表现出540-550nm波长范围的窄带发光光谱和500-600nm波长范围的宽带发光光谱。
4.根据权利要求3的荧光材料,其中所述激活剂是铽和铕,并且所述窄带发光光谱是由铽引起的光发射。
5.一种荧光材料,其包括:
由如下通式(A)表示组成的化合物
(Sra1,Bab1,Cac1,Tbv1,Euw1)2SiO4 (A)
其中a1、b1、c1、v1和w1满足下面关系:
a1+b1+c1+v1+w1=1(1);0≤a1/(1-v1-w1)≤1(2);
0≤b1/(1-v1-w1)≤1 (3);0≤c1/(1-v1-w1)≤1(4);
0<v1≤0.15 (5);0<w1≤0.05 (6)。
6.根据权利要求5的荧光材料,其中通式(A)中b1、c1、v1和w1满足下面关系:
0≤b1/(1-v1-w1)≤0.2 (3a);
0≤c1/(1-v1-w1)≤0.9 (4a);
0<v1≤0.1(5a);0<w1≤0.01(6a)。
7.一种荧光材料,其包括
由如下通式(B)表示组成的化合物
(Sra2,Bab2,Cac2,Tbv2,Euw2,Mv2)2SiO4 (B)
其中M是选自Li、Na、K、Rb和Cs中的至少一种,并且a2、b2、c2、v2和w2满足下面关系:
a2+b2+c2+2v2+w2=1(7);0≤a2/(1-2v2-w2)≤1(8);
0≤b2/(1-2v2-w2)≤1 (9);
0≤c2/(1-2v2-w2)≤1 (10);
0<v2≤0.15 (11);0<w2≤0.05 (12)。
8.根据权利要求1的荧光材料的制备方法,其包括:
在由N2/H2或Ar/H2组成的还原性气氛中加热原材料得到初次烧结产物;
将初次烧结产物粉碎得到粉碎的初次烧结产物;
将所述粉碎的初次烧结产物装入容器内;
将装有粉碎的初次烧结产物的容器置于炉内;
用惰性气体置换炉内气氛;并且
在氢气浓度为5%或更高但小于100%的由N2/H2或Ar/H2组成的还原性气氛中,加热所述粉碎的初次烧结产物,得到二次烧结产物。
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