[发明专利]荧光体及其制造方法以及发光装置无效
申请号: | 200710137061.2 | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101108966A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 玉谷正昭;植竹久代;平松亮介;大塚一昭;服部靖;信田直美 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝照明技术株式会社 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;H01L33/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 及其 制造 方法 以及 发光 装置 | ||
1.一种铕激活的原硅酸碱土类荧光体,其包含具有由下述通式(1)表示的组成的化合物,并且在用波长为254nm的紫外光激发时,显示出具有600nm以上的峰值波长的发光带,
(Srx,Bay,Caz,Euw)2SiO4(1)
其中,x,y,z和w满足下述关系式(2),(4)~(7),而且在a为573、b为467、c为623、d为736时,为满足(3)式的值:
x+y+z+w=1 (2)
600≤ax+by+cz+dw (3)
0≤x/(1-w)≤0.95 (4)
0≤y/(1-w)≤0.4 (5)
0<z/(1-w)≤0.95 (6)
0.02≤w≤0.2 (7)。
2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述式(2)的w为0.05~0.15。
3.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述荧光体在用波长为460nm的蓝色光激发时也显示出具有600nm以上的峰值波长的发光带。
4.一种铕激活的原硅酸碱土类荧光体,其包含下述化合物,该化合物在用波长为254nm的紫外光激发时,显示出具有600nm以上的峰值波长的发光带,而且在用波长为460nm的蓝色光激发时也显示出具有600nm以上的峰值波长的发光带。
5.根据权利要求4所述的荧光体,其中,所述化合物具有由下述通式(1)表示的组成:
(Srx,Bay,Caz,Euw)2SiO4 (1)
其中,x,y,z和w满足下述关系式(2),(4)~(7),而且在a为573、b为467、c为623、d为736时,为满足(3)式的值:
x+y+z+w=1 (2)
600≤ax+by+cz+dw (3)
0≤x/(1-w)≤0.95 (4)
0≤y/(1-w)≤0.4 (5)
0<z/(1-w)≤0.95 (6)
0.02≤w≤0.2 (7)。
6.根据权利要求5所述的荧光体,其中,所述式(2)的w为0.05~0.15。
7.一种制造权利要求1所述的铕激活的原硅酸碱土类荧光体的方法,其包括:
将原料的混合物收纳在容器中;
在N2/H2的还原性气氛中对所述原料的混合物进行一次烧制,得到一次烧制品;
粉碎所述一次烧制品以得到被粉碎的一次烧制品;
将所述被粉碎的一次烧制品收纳在容器中;
将收纳有所述被粉碎的一次烧制品的所述容器放置在炉内,并且在真空下将炉内进行氮气置换;以及
在氢气浓度大于等于5%且小于100%的N2/H2的还原性气氛中对所述被粉碎的一次烧制品进行二次烧制,得到二次烧制品。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述真空是1000Pa以下。
9.一种制造权利要求4所述的铕激活的原硅酸碱土类荧光体的方法,其包括:
将原料的混合物收纳在容器中;
在N2/H2的还原性气氛中对所述原料的混合物进行一次烧制,得到一次烧制品;
粉碎所述一次烧制品以得到被粉碎的一次烧制品;
将所述被粉碎的一次烧制品收纳在容器中;
将收纳有所述被粉碎的一次烧制品的所述容器放置在炉内,并且在真空下将炉内进行氮气置换;以及
在氢气浓度大于等于5%且小于100%的N2/H2的还原性气氛中对所述被粉碎的一次烧制品进行二次烧制,得到二次烧制品。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述真空是1000Pa以下。
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