[发明专利]异常检测电路

说明书

技术领域

本发明涉及检测电路异常的技术，特别涉及检测电源电压的下降的异常检测电路。

背景技术

随着近年来LSI技术的发展，在以CD播放器、MD播放器等为代表的数字音频设备中，对于数字信号处理及其放大，采用1位DAC(DigitalAnalog Converter：数模转换器)。在该1位DAC中，用Δ∑调制器对声音信号进行噪声整形(noise shaping)，作为进行了脉冲宽度调制PWM(PulseWidth Modulation)的1位PWM信号输出。

为驱动作为负载的扬声器，将该1位PWM信号放大到预定的电平，对此，采用具有高效率的D级放大器。被放大了的1位PWM信号通过后置低通滤波器变成模拟再现信号，从扬声器作为声音再现出来。在例如专利文献1中公开有使用了D级放大器的放大数字音频信号的驱动电路。

在这样的D级放大器中，若电源插座被突然拔掉等，D级放大器的电源电压突降，则会从扬声器产生被称作“爆音”的噪声。在专利文献1中，公开了用于抑制噪声的静噪(mute)晶体管。

专利文献1：特开2001-223537号公报

发明内容

〔发明所要解决的课题〕

在这样的状况下，为有效地抑制爆音，需要尽快检测到电源电压的下降，进行静噪处理。

本发明是鉴于这样的课题而设计的，其目的在于提供一种能够尽快检测到电源电压的下降的异常检测电路。

〔用于解决课题的手段〕

为解决上述课题，根据本发明的一个方案，提供一种监视电源电压，当电源电压下降时输出预定电平的异常检测信号的异常检测电路。该异常检测电路包括：源极与被施加了监视对象的电源电压的电源线相连接的P沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：半导体场效应晶体管)；设置在P沟道MOSFET的漏极与固定电压端子之间的阻抗元件；设置在P沟道MOSFET的栅极与固定电压端子之间的电容器；以及设置在P沟道MOSFET的栅极与电源线之间的充电路径。将P沟道MOSFET的漏极电压作为异常检测信号进行输出。

根据该方案，在稳定地供给电源电压的通常动作时，与P沟道MOSFET的栅极相连的电容器经由充电路径被充入电荷，P沟道MOSFET的栅极被固定为比电源电压低预定的电压的某电位。预定的电压被设定得比P沟道MOSFET的阈值电压Vt大。此时，在通常动作时P沟道MOSFET为导通，作为其漏极电压的异常检测信号成为高电平。当作为监视对象的电源电压、即P沟道MOSFET的源极电压急速下降时，由于P沟道MOSFET的栅极电压被保持为一定值，所以栅-源间电压下降到阈值电压Vt以下，P沟道MOSFET截止，异常检测信号成为低电平。这样，通过该异常检测电路，能够瞬时检测到电源电压的下降。

一个方案的异常检测电路，可以还包括与电容器并联连接的放电用电阻。此时，能够将P沟道MOSFET的栅极电压稳定为放电用电阻的放电和充电路径的充电平衡的电压。能够通过放电用电阻调节放电用电阻和由电容器构成的RC电路的时间常数。

充电路径可以包括阴极连接于P沟道MOSFET的栅极侧、阳极连接于P沟道MOSFET的源极侧的充电用二极管。

一个方案的异常检测电路，可以在与充电路径并联的路径上还包括阴极连接于电源线侧、阳极连接于P沟道MOSFET的栅极侧的放电用二极管。

此时，当电源电压、即P沟道MOSFET的源极电压下降，源极电压下降到栅极电压之下时，能够经由放电用二极管从栅极向源极放出电荷。

充电路径可以包括充电用电阻。此时，通过调节充电用电阻的电阻值，能够调节异常检测信号的电平变化的阈值。

在一个方案中，可以将P沟道MOSFET置换成PNP型双极型晶体管，使双极型晶体管的基极、射极、集电极分别对应于MOSFET的栅极、源极、漏极进行连接。根据该方案，在使用双极型晶体管时也能实现电源的异常检测。

本发明的另一方案提供一种音频信号放大电路。该音频信号放电电路包括：D级放大器，串联连接在被施加了电源电压的电源线与固定电压端子之间，包含交替导通的两个晶体管；脉冲调制器，对模拟音频信号施加脉冲调制，生成脉冲信号；驱动电路，基于脉冲信号驱动D级放大器；监视电源电压的上述异常检测电路；以及控制电路，在从异常检测电路输出预定电平的异常检测信号后，固定驱动电路的输入信号的逻辑电平。