[发明专利]差动信号的传送装置无效
申请号: | 200710137111.7 | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101110589A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 斋藤晋一 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03F3/345 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邸万奎 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 差动 信号 传送 装置 | ||
1.一种将要发送的差动信号作为电流信号经由第1输出端子、第2输出端子进行发送的发送装置,其特征在于,包括:
被串联连接在电位被固定的固定电压端子与上述第1输出端子之间的第1开关晶体管和第1输出晶体管;
被串联连接在上述固定电压端子与上述第2输出端子之间的第2开关晶体管和第2输出晶体管;以及
分别与上述第1开关晶体管和第2开关晶体管并联设置、生成预定的偏置电流的第1偏置晶体管和第2偏置晶体管;
其中,将上述要发送的差动信号对分别输入到上述第1开关晶体管和第2开关晶体管的控制端子,
并且将上述第1输出晶体管和第2输出晶体管的控制端子偏置为预定的第1电压。
2.根据权利要求1所述的发送装置,其特征在于:
还包括用于将上述第1输出晶体管和第2输出晶体管的控制端子偏置为上述预定的第1电压的第1偏置电路;
上述第1偏置电路包括
与上述第1输出晶体管和第2输出晶体管控制端子共连的第1晶体管,和
在上述第1晶体管的路径上,一端与上述固定电压端子相连的第2晶体管;
对包括上述第1晶体管和第2晶体管的路径提供预定的第1偏置电流。
3.根据权利要求1或2所述的发送装置,其特征在于:
还包括用于将上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管的控制端子偏置为预定的第2电压的第2偏置电路;
上述第2偏置电路包括与上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管控制端子共连的第3晶体管;
对包括上述第3晶体管的路径提供预定的第2偏置电流,并使上述第3晶体管的控制端子与上述第2偏置电流的路径上的一点相连。
4.根据权利要求3所述的发送装置,其特征在于:
上述第2偏置电路还包括第4晶体管,该第4晶体管被串联设置在与上述第3晶体管相同的路径上,且其控制端子由上述预定的第1电压进行偏置。
5.根据权利要求2所述的发送装置,其特征在于:
还包括用于将上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管的控制端子偏置为预定的第2电压的第2偏置电路;
上述第2偏置电路包括与上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管进行控制端子共连的第3晶体管;
对包括上述第3晶体管的路径提供预定的第2偏置电流,并使上述第3晶体管的控制端子与上述第2偏置电流的路径上的一点相连;
当设上述第1晶体管与上述第1输出晶体管、第2输出晶体管的尺寸比为1∶M、
设上述第3晶体管与上述第1偏置晶体管、第2偏置晶体管的尺寸比为1∶N、
设上述第1偏置电流和第2偏置电流的电流值的比为x∶y时,
将xM/yN设定在2倍至10倍的范围内,其中,上述M和N是正实数。
6.根据权利要求1或2所述的发送装置,其特征在于:
上述固定电压端子是接地端子,所有晶体管都由N沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:MOS场效应晶体管)构成。
7.根据权利要求1或2所述的发送装置,其特征在于:
被一体集成在一个半导体衬底上。
8.一种传送装置,其特征在于,包括:
权利要求1或2所述的发送装置;
与上述发送装置的上述第1输出端子和第2输出端子相连接的差动信号线;以及
将上述差动信号线中所流的电流转换成电压,并进行放大的接收装置。
9.一种电子设备,其特征在于:
包括权利要求8所述的传送装置,将上述差动信号线配置在本设备的可动部分。
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