[发明专利]差动信号的传送装置无效

专利信息
申请号: 200710137111.7 申请日: 2007-07-19
公开(公告)号: CN101110589A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 斋藤晋一 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;H03F3/345
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邸万奎
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 差动 信号 传送 装置
【权利要求书】:

1.一种将要发送的差动信号作为电流信号经由第1输出端子、第2输出端子进行发送的发送装置,其特征在于,包括:

被串联连接在电位被固定的固定电压端子与上述第1输出端子之间的第1开关晶体管和第1输出晶体管;

被串联连接在上述固定电压端子与上述第2输出端子之间的第2开关晶体管和第2输出晶体管;以及

分别与上述第1开关晶体管和第2开关晶体管并联设置、生成预定的偏置电流的第1偏置晶体管和第2偏置晶体管;

其中,将上述要发送的差动信号对分别输入到上述第1开关晶体管和第2开关晶体管的控制端子,

并且将上述第1输出晶体管和第2输出晶体管的控制端子偏置为预定的第1电压。

2.根据权利要求1所述的发送装置,其特征在于:

还包括用于将上述第1输出晶体管和第2输出晶体管的控制端子偏置为上述预定的第1电压的第1偏置电路;

上述第1偏置电路包括

与上述第1输出晶体管和第2输出晶体管控制端子共连的第1晶体管,和

在上述第1晶体管的路径上,一端与上述固定电压端子相连的第2晶体管;

对包括上述第1晶体管和第2晶体管的路径提供预定的第1偏置电流。

3.根据权利要求1或2所述的发送装置,其特征在于:

还包括用于将上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管的控制端子偏置为预定的第2电压的第2偏置电路;

上述第2偏置电路包括与上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管控制端子共连的第3晶体管;

对包括上述第3晶体管的路径提供预定的第2偏置电流,并使上述第3晶体管的控制端子与上述第2偏置电流的路径上的一点相连。

4.根据权利要求3所述的发送装置,其特征在于:

上述第2偏置电路还包括第4晶体管,该第4晶体管被串联设置在与上述第3晶体管相同的路径上,且其控制端子由上述预定的第1电压进行偏置。

5.根据权利要求2所述的发送装置,其特征在于:

还包括用于将上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管的控制端子偏置为预定的第2电压的第2偏置电路;

上述第2偏置电路包括与上述第1偏置晶体管和第2偏置晶体管进行控制端子共连的第3晶体管;

对包括上述第3晶体管的路径提供预定的第2偏置电流,并使上述第3晶体管的控制端子与上述第2偏置电流的路径上的一点相连;

当设上述第1晶体管与上述第1输出晶体管、第2输出晶体管的尺寸比为1∶M、

设上述第3晶体管与上述第1偏置晶体管、第2偏置晶体管的尺寸比为1∶N、

设上述第1偏置电流和第2偏置电流的电流值的比为x∶y时,

将xM/yN设定在2倍至10倍的范围内,其中,上述M和N是正实数。

6.根据权利要求1或2所述的发送装置,其特征在于:

上述固定电压端子是接地端子,所有晶体管都由N沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:MOS场效应晶体管)构成。

7.根据权利要求1或2所述的发送装置,其特征在于:

被一体集成在一个半导体衬底上。

8.一种传送装置,其特征在于,包括:

权利要求1或2所述的发送装置;

与上述发送装置的上述第1输出端子和第2输出端子相连接的差动信号线;以及

将上述差动信号线中所流的电流转换成电压,并进行放大的接收装置。

9.一种电子设备,其特征在于:

包括权利要求8所述的传送装置,将上述差动信号线配置在本设备的可动部分。

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