[发明专利]在半导体制造工艺中测试晶圆及找出产生缺陷原因的方法

权利要求书

1. 一种在半导体制造工艺中测试晶圆的方法，包括以下步骤：

在装置结构中形成当前最上层，以在上述晶圆上形成集成电路晶片；

在形成上述当前最上层之后，收集晶圆的应力数据，上述应力数据是由多个晶圆曲率变化量推出的；

计算有限区域集合中每一区域的应力梯度向量，其中上述有限区域集合包括多个有限区域；

计算上述有限区域集合中每一区域的每一应力梯度向量的基准；以及

找出具有上述应力梯度向量基准大于预定高应力梯度向量基准阈值的上述有限区域。

2. 如权利要求1所述的在半导体制造工艺中测试晶圆的方法，其中上述应力数据包括：

上述晶圆上的上述有限区域集合中每一区域的x方向应力与y方向应力，上述x方向应力与y方向应力均是由上述有限区域集合的每一区域的x方向晶圆曲率变化量以及上述有限区域集合的每一区域的y方向晶圆曲率变化量推导得出，其中xy平面沿着上述晶圆的最上表面，以及其中上述x方向垂直于上述y方向；以及

上述有限区域集合中每一区域在上述xy平面的xy平面剪切应力，上述xy平面剪切应力是由xy平面晶圆曲率变化量推导得出，其中上述xy平面晶圆曲率变化量是上述有限区域集合中每一区域在上述xy平面的晶圆扭转的变化量。

3. 如权利要求1所述的在半导体制造工艺中测试晶圆的方法，还包括如果具有大于上述预定高应力梯度向量基准阈值的应力梯度向量的上述有限区域的数量大于预定阈值，则判断上述晶圆有缺陷。

4. 如权利要求1所述的在半导体制造工艺中测试晶圆的方法，其中上述预定高应力梯度向量基准阈值是基于在上述晶圆的上述有限区域的平均应力梯度向量基准。

5. 如权利要求1所述的在半导体制造工艺中测试晶圆的方法，其中上述预定高应力梯度向量基准阈值是基于已测试的晶圆的特定集合的移动平均应力梯度向量基准。

6. 一种测试晶圆的方法，包括以下步骤：

在上述晶圆上形成当前最上层；

在形成上述当前最上层之后，收集晶圆的应力数据，上述应力数据推导自多个晶圆曲率变化量；

计算有限区域集合中每一区域的应力梯度向量，其中上述有限区域集合包括多个有限区域；以及

基于上述应力梯度向量，评估形成上述当前最上层的步骤。

7. 如权利要求6所述的测试晶圆的方法，其中上述应力数据包括：

上述晶圆上的上述有限区域集合中每一区域的x方向应力与y方向应力，上述x方向应力与y方向应力均是由上述有限区域集合中每一区域的x方向晶圆曲率变化量以及上述有限区域集合中每一区域的y方向晶圆曲率变化量推导得出，其中xy平面是沿着上述晶圆的最上表面，而其中上述x方向垂直于上述y方向；以及

上述限区域集合中每一区域在上述xy平面上的xy平面剪切应力，上述xy平面剪切应力是由xy平面晶圆曲率变化量推导得出，其中上述xy平面晶圆曲率变化量是上述有限区域集合中每一区域在上述xy平面的晶圆扭转的变化量。

8. 如权利要求6所述的测试晶圆的方法，还包括：

计算上述有限区域集合中每一区域的每一应力梯度向量的基准；以及

基于上述应力梯度向量基准，评估形成上述当前最上层的步骤。

9. 如权利要求8所述的测试晶圆的方法，其中包括基于上述应力梯度向量基准判断高应力梯度向量基准阈值，以在制造工艺中测试使用。

10. 如权利要求8所述的测试晶圆的方法，其中上述预定高应力梯度向量基准阈值是基于上述晶圆的上述有限区域的平均应力梯度向量基准。

11. 如权利要求8所述的测试晶圆的方法，其中上述预定高应力梯度向量基准阈值是基于已测试的晶圆的特定集合的移动平均应力梯度向量基准。