[发明专利]非相邻垂直共振腔耦合结构

权利要求书

1.一种非相邻垂直共振腔耦合结构，至少包括：

第一与第二共振腔，分别具有彼此相对的第一与第二导体表面，其中该 第一与该第二共振腔的各该第二导体表面彼此相对配置，并且该第一或该第 二共振腔至少一侧边是作为该非相邻垂直共振腔耦合结构；

介质材料层，位于该第一与该第二共振腔的各该第二导体表面之间；

至少一第一与第二高频传输线，该第一高频传输线配置在对应该第一共 振腔的该第一导体表面的其中一侧边缘，并且该第二高频传输线配置在对应 该第二共振腔的该第一导体表面的其中一侧边缘；以及

至少一连通柱，垂直地连接该第一与该第二高频传输线。

2.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该高频传输线 包括微带线、带线、共面波导、槽线、同轴线或是波导管结构。

3.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该高频传输线 的长度是配合耦合相位来调整。

4.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一与该第 二共振腔为基板整合波导共振腔。

5.如权利要求4所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该基板整合波 导共振腔为以多层基板工艺实现。

6.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一与该第 二共振腔的各该第一导体表面的该侧边缘具有向内凹的槽孔，该第一与该第 二高频传输线分别从各自对应的该槽孔向外延伸预定长度。

7.如权利要求6所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一与该第 二高频传输线分别与各自对应的该第一导体表面相连接。

8.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一与该第 二共振腔的各该第一导体表面的该侧边缘具有槽孔，该第一与该第二高频传 输线分别横跨在各自对应的该槽孔上方，且向外延伸预定长度。

9.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一与该第 二共振腔的各该第一导体表面的该侧边缘具有槽孔，该第一与该第二高频传 输线的其中一端分别位于各自对应的该槽孔上方，并且向外延伸预定长度。

10.如权利要求9所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中还包括电流探 针，经由连通柱穿过该槽孔连接到该第二导体表面。

11.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一与该第 二导体表面为金属表面。

12.一种非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，至少包括：

提供第一与第二共振腔，分别具有彼此相对的第一与第二导体表面，并 且将该第一与该第二共振腔的各该第二导体表面配置成彼此相对，其中该第 一或该第二共振腔至少一侧边是作为该非相邻垂直共振腔耦合结构；

形成介质材料层于该第一与该第二共振腔的各该第二导体表面之间；

形成至少一第一与第二高频传输线，以使该第一高频传输线配置在对应 该第一共振腔的该第一导体表面的其中一侧边缘，并且该第二高频传输线配 置在对应该第二共振腔的该第一导体表面的其中一侧边缘；以及

形成至少一连通柱，垂直地连接该第一与该第二高频传输线。

13.如权利要求12所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，其中 还包括利用微带线、带线、共面波导、槽线、同轴线或是波导管结构，形成 该高频传输线。

14.如权利要求12所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，还包 括：根据耦合相位，调整该高频传输线的长度。

15.如权利要求12所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，其中 该第一与该第二共振腔为基板整合波导共振腔。

16.如权利要求15所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，其中 该基板整合波导共振腔为以多层基板工艺实现。