[发明专利]制作半导体结构的方法与制作半导体结构的系统

权利要求书

1.一种制作半导体结构的方法，其特征在于该方法包含以下步骤：

形成至少一材料层于一基材上；

蚀刻该材料层的至少一部分以定义出至少一材料图样，其中是利用至少一第一前驱物蚀刻该材料层；以及

移除该材料图样的多个电荷，其中是利用至少一放电气体移除上述电荷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的材料层包含一多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的材料层更包含一介电层位于该多晶硅层与该基材之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第一前驱物包含氯气、溴化氢及四氟化碳至少其中之一，与氦、氧气及氮气至少其中之一。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其更包含蚀刻该材料层的该部分的步骤，其中是利用至少一第二前驱物蚀刻该材料层的该部分，且该第二前驱物包含氯气、溴化氢及四氟化碳至少其中之一，与氦、氧气及氮气至少其中之一。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的放电气体包含氦、氧气、氩及氮至少其中之一。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的在移除上述电荷的步骤中包含：

一压力，介于约10milli-Torr至约100milli-Torr之间；

一来源功率，介于约100瓦特及约500瓦特之间；

一气体流动率，介于约50标准立方公分/分钟及约200标准立方公分/分钟之间；以及

一处理时间，介于约1秒钟及约50秒钟之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其更包含过蚀刻该材料层，其中是利用至少一第三前驱物过蚀刻该材料层，该第三前驱物包含氯气、溴化氢及四氟化碳至少其中之一，与氦、氧气及氮气至少其中之一。

9.一种制作半导体结构的方法，其特征在于其包含以下步骤：

形成一栅极介电层于一基材之上；

形成一多晶硅层于该栅极介电层之上；

蚀刻该多晶硅层的至少一第一部分以定义出至少一材料图样，其中是利用至少一第一前驱物蚀刻该材料层；

蚀刻该栅极介电层的至少一第二部分，其中是利用至少一第二前驱物蚀刻该栅极介电层；以及

移除该材料图样的多个电荷，其中是利用至少一放电气体移除上述电荷。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于其中所述的第一前驱物及该第二前驱物至少其中之一包含氯气、溴化氢及四氟化碳至少其中之一，与氦、氧气及氮气至少其中之一。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于其中所述的放电气体包含氦、氧气、氩及氮至少其中之一。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于其中所述的在移除上述电荷的步骤中包含：

一压力，介于约10milli-Torr至约100milli-Torr之间；

一来源功率，介于约100瓦特及约500瓦特之间；

一气体流动率，介于约50标准立方公分/分钟及约200标准立方公分/分钟之间；以及

一处理时间，介于约1秒钟及约50秒钟之间。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于其更包含过蚀刻该多晶硅层的步骤，其中是利用至少一第三前驱物过蚀刻该材料层，其中该第三前驱物包含氯气、溴化氢及四氟化碳至少其中之一，与氦、氧气及氮气至少其中之一。

14.一种制作半导体结构的系统，其特征在于其包含：

一处理器；

一蚀刻装置耦接至该处理器，其中该蚀刻装置用以利用至少一第一前驱物蚀刻形成于一第一基材上的一材料层的至少一部分，藉以定义出至少一材料图样，以及用以利用至少一放电气体移除该材料图样的多个电荷；以及

一测量装置耦接至该处理器，其中该测量装置用以监测该材料图样的垂直外形，

其中该处理器用以将该材料图样的垂直外形与一预定外形相比较，藉以产生至少一比较结果，并且将依据该比较结果所产生的一处理参数输入该蚀刻装置以处理一第二基材。

15.根据权利要求14所述的系统，其特征在于其中所述的蚀刻装置用以提供：

一压力，介于约10milli-Torr至约100milli-Torr之间；

一来源功率，介于约100瓦特及约500瓦特之间；

一气体流动率，介于约50标准立方公分/分钟及约200标准立方公分/分钟之间；以及

一处理时间，介于约1秒钟及约50秒钟之间。