[发明专利]半导体装置的制造方法及其制造装置有效
| 申请号： | 200710137935.4 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101110352A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 加藤勉 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/308;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 及其 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
配置工序，将被印刷物体配置在丝网结构下，所述丝网结构设有抗蚀剂能通过的第1区域及阻止抗蚀剂通过的第2区域，所述第1区域形成所希望的图案；
涂布工序，在所述丝网结构上放置包含颗粒成分的抗蚀剂材料，一边使刮浆板压接该丝网结构，使该丝网结构接触所述被印刷物体，一边移动所述刮浆板，在所述被印刷物体上涂布与所述第1区域相当的图案的抗蚀剂材料；
形成工序，对涂布于所述被印刷物体上的抗蚀剂材料进行热处理，形成抗蚀膜；
加工工序，将所述抗蚀膜作为掩模，加工所述被印刷物体；以及，
第1去除工序，从加工后的所述被印刷物体去除所述抗蚀膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述被印刷物体是半导体晶片；
所述配置工序是将所述半导体晶片配置在丝网结构下，所述丝网结构设有抗蚀剂能通过的第1区域及阻止抗蚀剂通过的第2区域，所述第1区域形成所希望的图案；
所述涂布工序在所述丝网结构上放置包含颗粒成分的抗蚀剂材料，一边使刮浆板压接该丝网结构，使该丝网结构接触所述半导体晶片，一边移动所述刮浆板，在所述半导体晶片上涂布与所述第1区域相当的图案的抗蚀剂材料；
所述形成工序对涂布于所述半导体晶片上的抗蚀剂材料进行热处理，形成抗蚀膜；
所述加工工序将所述抗蚀膜作为掩模，通过蚀刻有选择地研磨所述半导体晶片；
所述第1去除工序从加工后的所述半导体晶片去除所述抗蚀膜。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述被印刷物体是表面形成有绝缘膜的半导体晶片；
所述配置工序是将所述半导体晶片配置在丝网结构下，所述丝网结构设有抗蚀剂能通过的第1区域及阻止抗蚀剂通过的第2区域，所述第1区域形成所希望的图案；
所述涂布工序在所述丝网结构上放置包含颗粒成分的抗蚀剂材料，一边使刮浆板压接该丝网结构，使该丝网结构接触所述半导体晶片，一边移动所述刮浆板，在所述半导体晶片上涂布与所述第1区域相当的图案的抗蚀剂材料；
所述形成工序对涂布于所述半导体晶片上的抗蚀剂材料进行热处理，形成抗蚀膜；
所述加工工序将所述抗蚀膜作为掩模，通过蚀刻有选择地除去所述绝缘膜；
所述第1去除工序从加工后的所述半导体晶片去除所述抗蚀膜；
还包括扩散区域形成工序，在去除所述抗蚀膜的所述半导体晶片上，以所述绝缘膜作为掩模，注入离子及进行热处理，形成扩散区域。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述被印刷物体是在绝缘膜上形成有导电膜的半导体晶片；
所述配置工序是将所述半导体晶片配置在丝网结构下，所述丝网结构设有抗蚀剂能通过的第1区域及阻止抗蚀剂通过的第2区域，所述第1区域形成所希望的图案；
所述涂布工序在所述丝网结构上放置包含颗粒成分的抗蚀剂材料，一边使刮浆板压接该丝网结构，使该丝网结构接触所述半导体晶片，一边移动所述刮浆板，在所述半导体晶片上涂布与所述第1区域相当的图案的抗蚀剂材料；
所述形成工序对涂布于所述半导体晶片上的抗蚀剂材料进行热处理，形成抗蚀膜；
所述加工工序以所述抗蚀膜作为掩模，通过蚀刻有选择地除去所述导电膜，形成配线；
所述第1去除工序从加工后的所述半导体晶片去除所述抗蚀膜。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1去除工序对在水平方向旋转的所述被印刷物体喷射抗蚀剂去除溶剂，去除所述抗蚀膜。
6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1去除工序是将所述被印刷物体浸渍于抗蚀剂去除溶剂中，去除所述抗蚀膜。
7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第1去除工序是使浸渍于抗蚀剂去除溶剂的所述被印刷物体旋转，去除所述抗蚀膜。
8.如权利要求5～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述抗蚀剂去除溶剂在水中的溶解度为8重量％以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
