[发明专利]用于在容器内表面上沉积涂层的装置

权利要求书

1.一种用来在由热塑性塑料制作的容器(10)的内表面沉积涂层的装置，在该装置中沉积是通过低压等离子体来进行的，等离子体是通过由超高频微波类电磁波激发前体气体而在容器(10)内产生的，在该装置中，容器(10)被置于由导电材料制作的腔体中，微波被引入到该腔体中，所述装置包括：

一种超高频电磁波发生器(3)；

一种电磁波导(4)，用来将所述电磁波发生器(3)连接到腔体(2)的侧壁上的窗口(5)上，使得在所述腔体(2)中产生至少一个中心场；

用来注射前体气体的设备，包括部分地延伸进入到所述容器(10)中的注射管(13)；

用来抽吸腔体(2)和容器(10)的内部容积的设备；以及

内部壳体(6)，与腔体(2)同轴并基本上透过所述电磁波，该壳体是例如由石英制作而且限定了一个腔室(7)，在激发前体气体期间容器(10)被置于该腔室中，其中，

注射管(13)浸入容器(10)中，浸入长度为容器(10)的顶部(18)和底部(17)之间计算的容器(10)的总高度的四分之一和二分之一之间，注射管(13)的所述长度构成能够接收到由所述发生器(3)产生的所述超高频电磁波的纵向天线(16)，其中，以盘(21、23、25)形式的超高频短路(19)以这样一种方式被设置在注射管(13)上，使得面向腔体的一侧上的所述盘(21、23、25)的表面限定了沿所述注射管(13)传播的电磁波的零振幅点，在所述短路(19)和所述注射管(13)的自由端(13a)之间的长度相应于四分之一波长的一奇数值以便在注射管(13)的自由端(13a)处获得最大振幅，也就是波腹。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述短路(19)是圆形径向盘(21、23、25、26)，注射管(13)穿过该圆形径向盘中心。

3.如权利要求2所述的装置，其中，与注射管(13)同轴并指向腔体(2)的环形裙部(22、24)支撑在所述圆形径向盘上。

4.如权利要求3所述的装置，其中，所述环形裙部(22、24)支撑在所述圆形径向盘(21、23)的外部边缘上。

5.如权利要求2～4中任一项所述的装置，其中，所述圆形盘(21、23)被嵌入在电介质塞子(20)中，注射管(13)轴向穿过该电介质塞子。

6.如权利要求1～3和5中任一项所述的装置，其中，所述圆形盘(23)有一个直径大于注射管(13)的直径的中心孔(23a)，并且所述环形裙部(22、24)支撑在所述盘(23)的内部边缘上。

7.如权利要求5和6中任一项所述的装置，其中，所述环形裙部(22、24)的内表面高度约等于由发生器(3)发射的并在电介质中流通的电磁波波长的四分之一，所述圆形盘(21、23)和裙部位于该电介质中。

8.如权利要求1～7中任一项所述的装置，其中，所述短路(19)被设置在圆柱形部件(27)和注射管(13)之间的一个环形间隔中。

9.如权利要求8所述的装置，其中，所述圆柱形部件(27)的端部以密封方式支撑在容器(10)的顶部(18)上。

10.如权利要求1～9中任一项所述的装置，包括高电压信号发生器装置(28)，其被耦合到注射管(13)并能够向注射管(13)发送高电压正弦信号。

11.如权利要求10所述的装置，其中，所述高电压正弦信号有500～3000V之间的电压。

12.如权利要求10和11中的任一项所述的装置，其中，所述高电压正弦信号由衰减的正弦信号的多个周波构成。

13.如权利要求10～12中任一项所述的装置，其中，所述信号的载波频率在1～50kHz之间。

14.如权利要求12和13中任一项所述的装置，其中，所述信号的包络频率在100～10000Hz之间。

15.如权利要求14所述的装置，其中，所述包络频率在500～2000Hz之间。

16.如权利要求12～15中任一项所述的装置，其中，在所述周波的末端的高电压信号的峰值衰减到该周波的第一波峰的峰值的0～60％。