[发明专利]具有集成热沉的集成电路装置

权利要求书

1. 一种在集成电路装置的背面上形成集成热沉的晶片级方法，该方法包括：

在包含很多集成电路芯片的晶片的背面上淀积第一金属层；

在该第一金属层上淀积第二金属层；以及

在淀积第一和第二金属层之后，将晶片切割成多个集成电路装置，以及

其中对于多个集成电路装置的每个集成电路装置，第一金属层的一部分和第二金属层的一部分相结合，以形成与芯片集成形成的热沉。

2. 如权利要求1所述的方法，其中在晶片的背面上淀积第一金属层包括：

在晶片的背面上溅射一层第一金属材料。

3. 如权利要求1所述的方法，其中在第一金属层上淀积第二金属层包括：

在第一金属层上溅射第一层第二金属材料，其中该第一层第二金属材料具有约1000到1500埃范围的厚度；以及

在该第一层第二金属材料上电镀第二层第二金属材料，其中该第二层第二金属材料具有约10000到50000埃范围的厚度。

4. 如权利要求1所述的方法，还包括：

在晶片切割之前，在第二金属层上淀积第三金属层，由此在切割之后，芯片上的第三金属层部分形成与芯片集成形成的热沉的一部分。

5. 如权利要求4所述的方法，其中在第二金属层上淀积第三金属层包括：

在第二金属层上溅射一层第三金属材料。

6. 如权利要求4所述的方法，其中

第一金属层选自钛、钛-钨和镍-钒，

第二金属层选自铜和铝，

第三金属层选自钛、钛-钨和镍-钒，以及

所述晶片是硅。

7. 如权利要求4所述的方法，其中

第一金属层具有约300到900埃范围的厚度；

第二金属层具有约10000到60000埃范围的厚度；以及

第三金属层具有约1000到1500埃范围的厚度。

8. 如权利要求4所述的方法，其中晶片切割包括：

第一切割操作，从晶片的背面开始，并以第一宽度完全穿透第三、第二和第一金属层切割，且仅部分地穿过晶片切割；以及

第二切割操作，以比第一宽度窄的第二宽度完全穿透晶片切割，其中第一宽度和第二宽度之间的差异在每个集成电路装置的外围形成台阶，当封装所述集成电路时，该台阶可用作锁定机制。

9. 如权利要求8所述的方法，其中

第一宽度为1到1.2毫米，且第二宽度为0.8到1毫米，以及

以第一宽度部分地穿过晶片切割，以切割穿过晶片厚度的40％到60％。

10. 如权利要求4所述的方法，还包括在对晶片进行切割之前，在晶片的有效表面上形成多个焊球凸点。

11. 如权利要求10所述的方法，还包括：

对于多个集成电路装置的每个集成电路装置，通过焊接多个焊球凸点的每一个焊球凸点到多个引线接触的相应引线接触，将集成电路装置连接到具有多个引线接触的引线框。

12. 如权利要求11所述的方法，还包括：

对于多个集成电路装置的每个集成电路装置，在密封剂中封装芯片、热沉、多个焊球凸点、以及至少一部分引线框，同时使第三金属层部分形成的热沉表面暴露。

13. 如权利要求4所述的方法，还包括：

在对晶片、第一金属层、第二金属层和第三金属层进行切割之前，将晶片安装在定位带上，使得晶片的背面避开定位带；以及

在对晶片、第一金属层、第二金属层和第三金属层进行切割之后，从定位带中移去多个集成电路装置。

14. 一种半导体装置，包括：

芯片，具有有效表面、背面以及在有效表面上形成的多个输入/输出(I/O)焊盘；

在芯片的背面上淀积的第一金属层；以及

在该第一金属层上淀积的第二金属层；

其中该第一金属层用于使该第二金属层附着到芯片，且该第一金属层和该第二金属层相结合，以形成与芯片集成形成的热沉。