[发明专利]显示面板、掩模及其制造方法

说明书

技术领域

本发明大体上涉及一种显示面板、该面板的显示基板的制造方法、以及用于实现该制造方法的掩模。更具体地，本发明涉及一种能够减少在制造过程中产生的缺陷的显示基板、一种能够调整通过三掩模工艺形成的光致抗蚀剂图案的厚度的显示基板制造方法、以及用于实现该方法的掩模。

背景技术

通常，使用掩模，通过光刻处理，对显示基板上形成的信号线、薄膜晶体管和像素电极进行构图。在显示基板的制造中，减少所使用的光刻处理的次数的能力有利地降低制造成本。减少制造显示基板中的这种成本的一种方式是使用被称为三掩模工艺的三片掩模。

例如，在三掩模工艺中，在使用第一和第二掩模通过光刻处理在基板上形成了信号线和薄膜晶体管之后，在基板上形成钝化层。其后，使用第三掩模，通过另一光刻处理，在钝化层上形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案与信号线和薄膜晶体管交迭。光致抗蚀剂图案用于对钝化层蚀刻一次或两次，并用于以剥离方法对像素电极进行构图。

在使用相同的光致抗蚀剂图案执行两次蚀刻处理的情况下，会产生由于下薄膜的过度蚀刻而导致的缺陷。因此，在整个基板上并且以均匀厚度形成光致抗蚀剂图案是很重要的。

然而，由于在显示基板上形成的光致抗蚀剂图案的密度典型地在不同区域之间是改变的，因此在显影处理中溶解的光致抗蚀剂的量在不同区域之间也是不同的。

例如，当光致抗蚀剂图案的密度相对较低时，在光致抗蚀剂图案的显影中溶解的光致抗蚀剂的量相对较大。此外，在具有低光致抗蚀剂密度的区域中，分布在低密度区域的显影溶液的酸浓度快速减小。因此，产生低密度区域和高密度区域之间的浓度差。相应地，具有高浓度的显影溶液的部分流到具有低浓度的显影溶液。因此，低密度区域的光致抗蚀剂图案相对于所希望的量而被过度显影，这导致光致抗蚀剂图案有不规则厚度。

发明内容

本发明的一个方面提供一种能够减少在制造期间产生的缺陷的显示基板。

本发明的另一方面还提供一种该显示基板的制造方法，该方法能够调整通过三掩模工艺形成的光致抗蚀剂图案的厚度。

本发明的另一方面还提供一种可用于实现上述方法的掩模。

在本发明的一个示范性实施例中，显示面板包括：基板、信号线、薄膜晶体管和多个伪电极。基板包括显示区域和围绕显示区域的外围区域。信号线位于基板上，并彼此相交以限定单位像素。薄膜晶体管与信号线电连接，并位于单位像素处。伪电极位于不与信号线交迭的外围区域处。伪电极包括与像素电极大致相同的材料。

在本发明的另一示范性实施例中，光致抗蚀剂膜涂覆在具有显示区域和围绕显示区域的外围区域的基板上。显示区域包括由彼此相交的信号线限定的多个单位像素。通过对光致抗蚀剂膜进行构图，来形成在显示区域中与信号线交迭的第一图案部分和包括多个伪开口的第二图案部分。伪开口位于外围区域中不与信号线交迭的部分处。在包括第一图案部分和第二图案部分的基板上形成透明电极层。然后，利用剥除溶液，通过去除第一图案部分、第二图案部分以及形成在第一图案部分和第二图案部分上的透明电极层，形成与伪开口相对应的伪电极和与单位像素相对应的像素电极。

在本发明的另一方面中，用于制造显示面板的掩模包括用于对像素电极进行构图的像素电极图案以及用于对伪电极进行构图的伪电极图案。显示基板包括具有位于单位像素处的像素电极的显示区域和围绕显示区域并具有伪电极的外围区域。单位像素由彼此相交的信号线限定，而伪电极位于外围区域和信号线彼此不交迭的部分处。

在形成显示面板、基板和掩模中，在基板的整个区域中使光致抗蚀剂图案的厚度更加均匀。因此，在使用均匀光致抗蚀剂图案的后续蚀刻处理中，避免了薄膜的过度蚀刻。

附图说明

在结合附图考虑下面详细的说明时，本发明的上述和其它方面、特征和优点将显而易见，附图中：

图1是示出了根据本发明示范性实施例的液晶显示器面板的透视图；

图2是示出了图1中的液晶显示器面板的显示基板的示意图；

图3是显示基板的单位像素和伪电极的放大视图；

图4是沿图3中线I-I’的截面图；以及

图5A至图5J是示出了根据本发明示范性实施例的显示基板制造方法的视图。

具体实施方式