[发明专利]掩模以及相关的光刻方法

权利要求书

1.一种掩模，包括：

基底，具有有效面积区；

第一图案，在该有效面积区之中，其中该第一图案为由多个切割道环绕的掩模图案；以及

第二图案，在该基底上，其中该第二图案为自该第一图案放大到肉眼可辨识。

2.如权利要求1所述的掩模，其中该第二图案为自该第一图案放大1倍至100倍。

3.如权利要求1所述的掩模，还包括：

对准图案，在该有效面积区之中。

4.如权利要求3所述的掩模，还包括：

第三图案，在该基底上，其中该第三图案为自该对准图案放大到肉眼可辨识。

5.如权利要求4所述的掩模，该第三图案为自该对准图案放大1倍至100倍。

6.如权利要求4所述的掩模，其中该第三图案位于该有效面积区的角落。

7.如权利要求4所述的掩模，其中该第二图案及该第三图案分别位于该有效面积区的两个角落。

8.如权利要求1所述的掩模，其中该第二图案位于该有效面积区的角落。

9.如权利要求1所述的掩模，还包括：

辨识码，在该基板上。

10.如权利要求9所述的掩模，其中该辨识码在该有效面积区之外。

11.如权利要求1所述的掩模，其中该基底包括透明基底。

12.如权利要求1所述的掩模，其中该基底包括玻璃或石英。

13.如权利要求1所述的掩模，其中该有效面积区为正方形或矩形。

14.如权利要求1所述的掩模，其中该基底包括静电环，该静电环环绕该有效面积区。

15.一种掩模，包括：

基底，具有有效面积区；

第一图案，在该有效面积区之中；

第二图案，在该基底上，其中该第二图案为自该第一图案放大到肉眼可辨识；

对准图案，在该有效面积区之中；以及

第三图案，在该基底上，其中该第三图案为自该对准图案放大到肉眼可辨识。

16.如权利要求15所述的掩模，其中该第二图案为自该第一图案放大1倍至100倍。

17.如权利要求15所述的掩模，其中该第三图案为自该对准图案放大1倍至100倍。

18.如权利要求15所述的掩模，其中该第二图案位于该有效面积区的角落。

19.如权利要求15所述的掩模，其中该第三图案位于该有效面积区的角落。

20.如权利要求15所述的掩模，其中该第二图案及该第三图案分别位于该有效面积区的两个角落。

21.如权利要求15所述的掩模，还包括：

辨识码，在该基板上。

22.如权利要求21所述的掩模，其中该辨识码在该有效面积区之外。

23.如权利要求15所述的掩模，其中该基底包括透明基底。

24.如权利要求15所述的掩模，其中该基底包括玻璃或石英。

25.如权利要求15所述的掩模，其中该有效面积区为正方形或矩形。

26.如权利要求15所述的掩模，其中该基底包括静电环，该静电环环绕该有效面积区。

27.一种使用于制造发光元件的光刻方法，包括：

提供基材；

提供光源；

提供掩模，位于该基材与该光源之间，该掩模为权利要求1所述的掩模；以及

转移该掩模的图案至该基材上。

28.如权利要求27所述的光刻方法，该基材包括发光二极管的基材。

29.一种使用于制造发光元件的光刻方法，包括：

提供基材；

提供光源；

提供掩模，位于该基材与该光源之间，该掩模为权利要求17所述的掩模；以及

转移该掩模的图案至该基材上。

30.如权利要求29所述的光刻方法，该基材包括发光二极管的基材。