[发明专利]半导体结构与芯片

权利要求书

1. 一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

第一半导体条，从该半导体衬底的上表面延伸进入该半导体衬底，其中该第一半导体条具有第一高度；

第一绝缘区，位于该半导体衬底中且围绕着该第一半导体条的底部，其中该第一绝缘区具有低于该第一半导体条的上表面的第一上表面；

第二半导体条，从该半导体衬底的上表面延伸进入该半导体衬底，其中该第二半导体条具有高于该第一半导体条的第一高度的第二高度；以及

第二绝缘区，位于该半导体衬底中且围绕着该第二半导体条的底部，其中该第二绝缘区具有低于该第一绝缘区的第一上表面的第二上表面，且该第一与第二绝缘区的厚度实质上相同。

2. 如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一与第二绝缘区各自包括介电材料，该介电材料包括氮化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或上述的组合。

3. 如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一与第二绝缘区的内缘分别实质上垂直地与该第一与第二半导体条的边缘对齐。

4. 如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一栅极介电层，位于该第一半导体条的上表面上且延伸于该第一半导体条的侧壁上；

第一栅极电极，位于该第一栅极介电层上；

第二栅极介电层，位于该第二半导体条的上表面上且延伸于该第二半导体条的侧壁上；以及

第二栅极电极，位于该第二栅极介电层上。

5. 如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一栅极电极与该第二栅极电极为电性连接。

6. 一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

第一沟槽，位于该半导体衬底中，其中该第一沟槽包围第一半导体鳍状物；

第一氧化区，位于该第一沟槽下；

第二沟槽，位于该半导体衬底中，其中该第二沟槽包围第二半导体鳍状物，且该第二沟槽的底部表面低于该第一沟槽的底部表面；以及

第二氧化区，位于该第二沟槽下。

7. 如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一与第二氧化区的厚度实质上相同。

8. 如权利要求6所述的半导体结构还包括：掩埋氧化层，位于该半导体衬底下，其中该第一及第二氧化区中的至少一个与该掩埋氧化层直接接触。

9. 如权利要求6所述的半导体结构，还包括：

第一栅极介电层，位于该半导体鳍状物的上表面上且延伸于该半导体鳍状物的侧壁上；

第一栅极电极，位于该第一栅极介电层上；

第二栅极介电层，位于该第二半导体鳍状物的上表面上且延伸于该第二半导体鳍状物的侧壁上；以及

第二栅极电极，位于该第二栅极介电层上。

10. 一种半导体芯片，包括：

半导体衬底，其具有上表面；

第一半导体条，位于该半导体衬底中；

第二半导体条，位于该半导体衬底中，其中该第一与第二半导体条的上表面与该半导体衬底的上表面齐平；

第一绝缘区，包围该第一半导体条的底部，其中该第一绝缘区以第一距离自该半导底衬底的上表面凹陷；以及

第二绝缘区，包围该第二半导体条的底部，其中该第二绝缘区以大于该第一距离的第二距离自该半导底衬底的上表面凹陷。

11. 如权利要求10所述的半导体芯片，其中该半导体衬底为块状衬底。

12. 如权利要求10所述的半导体芯片，还包括：掩埋氧化层，位于该半导体衬底下。

13. 如权利要求12所述的半导体芯片，其中该第二绝缘区的上表面在该掩埋氧化层的上表面之上。

14. 如权利要求12所述的半导体芯片，其中该第一与第二绝缘区均与该掩埋氧化层接触，且该第一绝缘区比该第二绝缘区高。

15. 如权利要求10所述的半导体芯片，其中该第一与第二绝缘区的厚度相同。