[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 200710138496.9 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101364621A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 曹文明;欧震;王韦涵;陈建文 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括：
基底；
第一材料层，在该基底上方；
第二材料层，在该第一材料层上方；
发光层，在该第一材料层及该第二材料层之间；及
光通道，起始自该基底并穿过该发光层，其中该光通道的折射率与该第一材料层、该第二材料层、与该发光层中至少其一的折射率不同。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该光通道的折射率小于该第一材料层及该第二材料层的折射率。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其中该光通道的材料与该基底相同。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其中该光通道的材料与该基底相异。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其中该光通道的材料择自由二氧化硅与氮化硅构成的群组。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其中该基底包括绝缘材料。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其中该基底的材料择自由蓝宝石、二氧化硅、与碳化硅构成的群组。
8.如权利要求1所述的发光二极管，其中该光通道突出于该第二材料层。
9.如权利要求1所述的发光二极管，其中该光通道的顶面与该第二材料层的顶面齐平。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其中该光通道为柱状体或椎状体。
11.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一材料层及该第二材料层包括氮元素。
12.如权利要求1所述的发光二极管，其中该发光层包括氮化镓铟系列材料或氮化镓铟铝系列材料。
13.如权利要求1所述的发光二极管，其中该第一材料层包括n型半导体，该第二材料层包括p型半导体。
14.如权利要求1所述的发光二极管，其中该发光层表面的几何形状选择自由凹面、凸面、及前述二者的组合所构成的群组。
15.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：
透明导电层，在该第二材料层上方。
16.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：
第一电极层，在该第二材料层上方。
17.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：
第二电极层，在该第一材料层上方。
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