[发明专利]发动机用高压泵驱动电路有效
申请号: | 200710138612.7 | 申请日: | 2007-07-24 |
公开(公告)号: | CN101118816A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 高桥信行;冈本多加志;黛拓也 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01H47/32 | 分类号: | H01H47/32;H01F7/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发动机 高压泵 驱动 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种高压泵驱动电路,在驱动发动机用高压泵时,控制电 流,减少对具有电感的负载的流入电流的下降时间。
背景技术
【专利文献1】特开2002-237412号公报
【专利文献2】特开平8-55720号公报
【非专利文献1】渡边一雄著用アナログ電子回路設計法(实用 模拟电路设计法)”合電子出版社(综合电子出版社)(1996年)
图1中示出了发动机用高压泵驱动电路的以前的电路结构。该电路中, 开关用MOSFET(Nch)3的漏极侧连接有高压泵的电磁线圈2,续流二 极管1其阴极连接在电源电压VB侧,其阳极连接在电磁线圈侧。在 MOSFET(Nch)3的栅极被加载了输入电压的情况下,MOSFET(Nch) 3导通,电磁线圈2中流通电流IL。此时,MOSFET(Nch)3的漏电压 VD从VB降低到约0V,并且电磁线圈2中流通的电流IL过度上升,通 过电磁线圈2中流通的电流IL,积蓄电磁能量。
一旦MOSFET(Nch)3的栅极的输入电压变为0V,便通过上述电磁 能的自感应电动势(e=L*ΔI/Δt),作用使得在妨碍磁通的变化的方向 上流通电流的力,VD的电位上升,电磁线圈2的两端被在相反的方向加 载大电压。该电磁线圈2的两端所产生的大电压,通过在与该电磁线圈2 并联的续流二极管1中流通电流而消灭。
但是,在让MOSFET(Nch)3进行开关,加载如图2的5部分所示 的输入电压的这种恒定状态的情况下,开关周期越快,MOSFET(Nch)3 从截止到导通的时间便越短,因此电磁线圈2两端所产生的电压也较小, 续流二极管1所消耗的能量减少,所以元件的发热也较小。
与此相对,如果如图2的6部所示让MOSFET(Nch)3较长时间截 止,则具有电感的电磁线圈2中流通的电流就变为0,电磁线圈2的磁通 减少,因此发生感应电动势,续流二极管1中流通电流ID,该电流ID随 着感应电动势的减少而具有较长的时间常数,在给定时间之后,电流变为 0。也即,电磁线圈2中流通的电流IL的下降时间延长。在该状态下,高 压泵的控制性恶化,燃料压力不稳定。进而,在提高了发动机的旋转的情 况下,有可能会产生不希望的燃料压力动作。因此需要使用齐纳二极管, 缩短电流的下降时间。
图3中示出了添加有齐纳二极管的现有的电路结构。这里,与图1的 电路结构不同,齐纳二极管8其阴极侧与电磁线圈7相连接,阳极侧与接 地GND侧相连接,开关用MOSFET(Nch)9与该齐纳二极管并联,而删 去了续流二极管。这是由于如果不删去而是保留续流二极管,齐纳二极管 便完全不会起作用,从而变为与图1所示的现有的电路相同。
如果对MOSFET(Nch)9进行加载图2的5部分所示的输入电压的 恒定状态的开关,则在MOSFET(Nch)9每次截止时,电流被齐纳二极 管8所钳位,导致齐纳二极管8的发热非常大,元件自身无法承受发热。
发明内容
因此需要缩短向电磁线圈的流入电流的下降时间,同时抑制元件的发 热。
为了解决上述问题,本发明的高压泵驱动电路,是一种对控制高压泵 的电磁线圈中流通的电流进行操作的电路,其特征在于,从电源电压侧到 接地侧,串联有第1开关元件、该电磁线圈、以及第2开关元件;将向电 源侧流通电流的续流二极管,与该电磁线圈以及该第1开关元件并联设置; 将与电源侧相连接的齐纳二极管,与该第2开关元件并联设置,通过这样, 在第2开关元件从导通变成了截止时,该电磁线圈的两端所产生的反电动 势,在该第1开关元件导通的情况下被该续流二极管所消耗,在该第1开 关元件截止的情况下被该齐纳二极管更早消耗。
另外,本发明的高压泵驱动电路,是一种对控制高压泵的电磁线圈中 流通的电流进行操作的电路,其特征在于,从电源电压侧到接地侧,串联 有第1开关元件、该电磁线圈、以及第2开关元件;将从接地侧向第1开 关元件流通电流的续流二极管,与该第2开关元件以及该电磁线圈并联设 置;将与接地侧以及该电磁线圈相连接的齐纳二极管,与该第2开关元件 并联设置,通过这样,在第1开关元件从导通变成了截止时,该电磁线圈 的两端所产生的反电动势,在该第2开关元件导通的情况下被该续流二极 管所消耗,在该第2开关元件截止的情况下被该齐纳二极管更早消耗。
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