[发明专利]半导体处理用的成膜装置及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，包括：

在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境的工序，设定所述第一环境，使所述卤素酸性气体的平均分子量为20～23；

从所述气体供给源，通过已形成所述第一环境的所述上游气体流路和所述流量控制器，供给所述卤素酸性气体，并将含有所述卤素酸性气体的清洁气体供给至所述成膜装置的反应室内的工序；和

利用这样供给的所述清洁气体，蚀刻并除去附着在所述反应室内面的副生成物膜的工序。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一环境通过将所述上游气体流路设定为第一温度和第一压力而形成，所述第一温度设定为50℃以上，所述第一压力设定为66500Pa以下。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一温度设定为80℃以下，所述第一压力设定为13300Pa以上。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述流量控制器与其下游的阀之间的所述卤素酸性气体的下游气体流路内形成第二环境的工序，设定所述第二环境，使所述卤素酸性气体的平均分子量为20～23。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，用于形成所述第二环境的第二压力与用于形成所述第一环境的第一压力的压差小于19950Pa。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述流量控制器的上游，在所述上游气体流路上连接有与所述卤素酸性气体混合的不活泼气体的供给路。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述卤素酸性气体选自HF、HCl、HBr和HI。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述卤素酸性气体为HF。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在除去所述副生成物膜的工序之前，在所述反应室内，利用CVD在所述被处理基板上形成产物膜的工序，此时，所述副生成物膜附着在所述反应室的所述内面上。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述副生成物膜以选自Al₂O₃、HfSiOx、HfO₂、TEOS、SiN、SiC、SiOC、SiCN、Ta₂O₅、Nb₂O₅、BSTO、STO、AlHfO中的物质为主要成分。

11.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板的反应室；

对所述反应室内进行加热的加热器；

排出所述反应室内气体的排气系统；

成膜气体供给系统，将用于在所述被处理基板上形成产物膜的成膜气体供给至所述反应室内；

清洁气体供给系统，将清洁气体供给至所述反应室内，所述清洁气体含有用于除去来自所述成膜气体的副生成物膜的卤素酸性气体，所述清洁气体供给系统包括所述卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路；和

控制所述装置动作的控制部；

其中，所述控制部执行下述工序：

在上游气体流路内形成第一环境的工序，设定所述第一环境，使所述卤素酸性气体的平均分子量为20～23；

从所述气体供给源，通过已形成所述第一环境的所述上游气体流路和所述流量控制器，供给所述卤素酸性气体，并将含有所述卤素酸性气体的清洁气体供给至所述反应室内的工序；和

利用这样供给的所述清洁气体，蚀刻并除去附着在所述反应室内面的副生成物膜的工序。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第一环境通过将所述上游气体流路设定为第一温度和第一压力而形成，所述第一温度设定为50℃以上，所述第一压力设定为66500Pa以下。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一温度设定为80℃以下，所述第一压力设定为13300Pa以上。

14.如权利要求11所述的装置，其特征在于，在规定所述上游气体流路的配管周围，配置有用于形成所述第一环境的配管加热器。