[发明专利]薄膜晶体管基底及其制造方法和具有该基底的显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基底，包括：

底部基底；

栅电极，形成在所述底部基底上；

栅极绝缘图案，形成在所述栅电极上；

沟道图案，形成在所述栅极绝缘图案上，其中，所述栅电极的宽度大于所述沟道图案的宽度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述沟道图案的形状与所述栅极绝缘图案的形状基本相同。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，还包括：

第一有机绝缘图案，形成在所述底部基底上，以覆盖所述沟道图案、所述栅极绝缘图案和所述栅电极，其中，所述第一有机绝缘图案包括开口，以暴露所述沟道图案的部分。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基底，还包括：

源电极，形成在所述第一有机绝缘图案上，所述源电极的部分通过所述开口接触所述沟道图案；

漏电极，形成在所述第一有机绝缘图案上，所述漏电极的部分通过所述开口接触所述沟道图案。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基底，还包括电连接到所述漏电极的像素电极，其中，所述像素电极由透明导电材料构成。

6.如权利要求3所述的薄膜晶体管基底，还包括位于所述开口中的保护层，用来保护所述沟道图案的暴露部分。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基底，其中，所述保护层包含有机材料。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管基底，还包括形成在所述底部基底上以覆盖所述源电极、所述漏电极和所述第一有机绝缘图案的第二有机绝缘图案，其中，所述第二有机绝缘图案包括形成在所述漏电极上的接触孔，其中，所述像素电极形成在所述第二有机绝缘图案上并且通过所述接触孔电连接到所述漏电极。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，还包括覆盖所述沟道图案、所述栅极绝缘图案和所述栅电极中的每个的一部分的对准绝缘图案，其中，所述对准绝缘图案的边缘与所述栅电极的边缘重合。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述沟道图案包括：

有源图案，形成在所述栅极绝缘图案上；

离子掺杂图案，形成在所述源电极和所述有源图案之间以及所述漏电极和所述有源图案之间，以与所述源电极和所述漏电极接触。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管基底，其中，所述离子掺杂图案的边缘与所述栅极绝缘图案的边缘和所述有源图案的边缘重合。

12.一种制造薄膜晶体管基底的方法，所述方法包括以下步骤：

在底部基底上顺序形成栅极金属层、栅极绝缘层和沟道层；

将所述沟道层和所述栅极绝缘层图案化，以形成沟道图案和栅极绝缘图案，每个图案具有宽度；

将所述栅极金属层图案化，形成宽度比所述沟道图案的宽度宽的栅电极。

13.如权利要求12所述的方法，还包括以下步骤：

形成第一有机绝缘图案，所述第一有机绝缘图案覆盖所述沟道图案、所述栅极绝缘图案和所述栅电极并且具有用来暴露所述沟道图案的部分的开口；

形成源电极和漏电极，以通过所述开口接触所述沟道图案，使得所述源电极和所述漏电极彼此分开预定距离。

14.如权利要求13所述的方法，还包括形成电连接到所述漏电极的像素电极的步骤。

15.如权利要求14所述的方法，还包括在所述开口中涂覆墨，以形成用来保护所述沟道图案的暴露部分的保护层。

16.如权利要求14所述的方法，还包括形成第二有机绝缘图案的步骤，所述第二有机绝缘图案覆盖所述源电极、所述漏电极和所述第一有机绝缘图案以使所述底部基底的表面平坦化，并且所述第二有机绝缘图案具有暴露所述漏电极的部分的开口，其中，所述像素电极形成在所述第二有机绝缘图案上并且通过所述接触孔电连接到所述漏电极。