[发明专利]半导体器件的掩模图案及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的掩模图案，所述掩模图案包括：

多个相邻的主图案；以及

在每个主图案的端部和中部的至少一个之上的辅助图案，所述辅助图案的线宽宽于所述主图案的线宽，

其中所述辅助图案是交错的。

2.如权利要求1所述的掩模图案，其中所述主图案包括：

第一图案；以及

多个第二图案，所述第二图案的线宽窄于所述第一图案的线宽而且所述第二图案延伸自所述第一图案，

其中所述辅助图案在所述第二图案上。

3.如权利要求2所述的掩模图案，其中所述主图案的所述第一图案相互面对，而所述主图案的所述第二图案相互交错。

4.如权利要求2所述的掩模图案，其中所述辅助图案的线宽宽于所述第二图案。

5.如权利要求1所述的掩模图案，其中所述主图案的高度和宽度之比大于等于3。

6.一种半导体器件的掩模图案的制造方法，所述方法包括：

形成多个相邻的主图案；以及

在每个主图案的端部和中部的至少一个之上形成辅助图案，所述辅助图案的线宽宽于所述主图案的线宽。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述辅助图案是交错的。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述主图案包括：

第一图案；以及

多个第二图案，所述第二图案的线宽窄于所述第一图案的线宽而且所述第二图案延伸自所述第一图案，以及

所述辅助图案形成在所述第二图案上。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述主图案的所述第一图案相互面对，而所述主图案的所述第二图案是交错的。

10.如权利要求6所述的方法，其中形成所述主图案包括：

切割所述主图案的中间部分使所述被切割的主图案相重叠；以及

调整所述被切割的主图案的重叠部分的大小，以及

形成所述辅助图案包括在所述重叠部分形成所述辅助图案。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述辅助图案的线宽宽于所述第二图案。

12.如权利要求6所述的方法，其中所述主图案的高度和宽度之比大于等于3。