[发明专利]一种IC片外延的工艺方法有效
| 申请号： | 200710139295.0 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101165225A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 袁肇耿;赵丽霞;陈秉克 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050200河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ic 外延 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种IC片外延的工艺方法，本方法以三氯氢硅为硅源，二氧化硅为基片，生长炉内的压力为常压，其生产工艺过程为先对外延前的IC片进行表面处理、然后在生长炉中生长外延层，其特征在于：外延工艺采用的高温高流量外延工艺生长外延层，其工艺参数设定如下：
通入HCl抛光，HCl抛光温度为1190℃，HCl的流量为1升/分钟，抛光时间为1分钟；
外延生长温度为1190℃，主氢流量为160升/分。
2.根据权利要求1所述的一种IC片外延的工艺方法，其特征在于所述外延前对IC片表面进行处理的步骤是：用的氟化氢酸稀释液腐蚀二氧化硅表面，然后去离子水冲洗，甩干。
3.根据权利要求2所述的一种IC片外延的工艺方法，其特征在于所述腐蚀所用的氟化氢酸稀释液的配比为：浓度为49％的HF酸和去离子水按1∶20的比例混合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北普兴电子科技股份有限公司，未经河北普兴电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710139295.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纱线空气喷嘴
- 下一篇：电动代步车的喇叭控制装置
