[发明专利]一种硅MEMS压阻式加速度传感器有效
| 申请号： | 200710139407.2 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101118250A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨拥军;徐淑静;吕树海 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81B7/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 050051河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 加速度 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅MEMS压阻式加速度传感器，包括硅框架、质量块、压敏电阻， 其特征在于：质量块位于硅框架中并通过扭转梁、敏感梁与硅框架连接，在质 量块的左右两侧和所述硅框架之间设置有互相对称的敏感梁，在质量块的前后 两侧和硅框架之间设有一对对称的扭转梁；所述扭转梁X方向的宽度小于质量 块X方向的宽度，扭转梁Z方向的高度大于敏感梁Z方向的高度，所述敏感梁 上制作有检测应力大小的压敏电阻。
2.根据权利要求1所述的一种硅MEMS压阻式加速度传感器，其特征在于： 敏感梁为一对或多对。
3.根据权利要求1所述的一种硅MEMS压阻式加速度传感器，其特征在于： 压敏电阻分布在敏感梁的端部。
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