[发明专利]一种修饰钯电极的制备方法无效
| 申请号： | 200710139432.0 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101122574A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张利琴;谭雪荣;乔洁;李忠平;董川 | 申请（专利权）人： | 山西大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 山西五维专利事务所有限公司 | 代理人： | 杨耀田 |
| 地址： | 030006*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 修饰 电极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种修饰钯电极的制备方法，其特征在于依次包括以下步骤：
(1)将钯电极表面抛光成镜面，然后超声清洗，并用高纯氮气吹干备用；
(2)将步骤(1)处理好的钯电极在氯化钯盐酸水溶液中浸泡20-50min，取出，用二次蒸馏水冲洗，高纯氮气吹干，备用；
(3)将步骤(2)处理好的钯电极置于支持电解液中，在0～1.5V电压范围内，以100mVs-1的速度循环伏安扫描直至稳定，然后用二次蒸馏水冲洗干净，高纯氮气吹干，即制得修饰钯电极；
所述的支持电解液是高氯酸，其浓度为0.5mol/L；
所述的氯化钯盐酸水溶液中氯化钯浓度为1-3mmol/L、盐酸浓度为0.5-3mol/L。
2.根据权利1所述的修饰钯电极的制备方法，其特征在于所述的氯化钯盐酸水溶液中氯化钯浓度为1-2mmol/L、盐酸浓度为2-3mol/L。
3.根据权利1所述的修饰钯电极的制备方法，其特征在于所述的电极在氯化钯盐酸水溶液中浸泡时间为30-50min。
4.根据权利1所述的修饰钯电极的制备方法，其特征在于所述制备过程是在室温下进行。
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